| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 爆炸物检测的重要性 | 第9页 |
| 1.1.2 爆炸物的性质 | 第9-10页 |
| 1.1.3 传感器及其参数 | 第10-11页 |
| 1.2 爆炸物检测技术的发展 | 第11-14页 |
| 1.3 AlGaN/GaN HEMT传感器简介 | 第14-15页 |
| 1.4 AlGaN/GaN HEMT传感器的应用 | 第15-19页 |
| 1.5 本论文的研究内容及其意义 | 第19-21页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT传感器工作原理及结构设计 | 第21-29页 |
| 2.1 二维电子气 | 第21-24页 |
| 2.1.1 Ⅲ族氮化物极化作用 | 第21-24页 |
| 2.1.2 2DEG能带理论 | 第24页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT的基本原理和直流工作原理 | 第24-27页 |
| 2.3 无栅AlGaN/GaN HEMT传感器的传感原理与结构设计 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT传感器的工艺制作 | 第29-43页 |
| 3.1 MEMS工艺简介 | 第29-36页 |
| 3.1.1 光刻工艺 | 第29-31页 |
| 3.1.2 刻蚀工艺 | 第31-34页 |
| 3.1.3 镀膜 | 第34-35页 |
| 3.1.4 引线键合 | 第35页 |
| 3.1.5 封装保护 | 第35-36页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT传感器版图设计 | 第36-37页 |
| 3.3 无栅AlGaN/GaN HEMT传感器的工艺流程 | 第37-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT传感器TNT检测原理及表面修饰与表征 | 第43-51页 |
| 4.1 MPTES的修饰 | 第43-46页 |
| 4.1.1 分子自组装简介 | 第43-44页 |
| 4.1.2 GaN表面修饰MPTES步骤 | 第44-45页 |
| 4.1.3 接触角测量表征 | 第45-46页 |
| 4.2 GaN表面连接纳米金颗粒 | 第46-49页 |
| 4.2.1 纳米金颗粒 | 第46-47页 |
| 4.2.2 修饰纳米金颗粒 | 第47-48页 |
| 4.2.3 SEM图像表征 | 第48-49页 |
| 4.3 传感区域修饰氨基群 | 第49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 TNT检测与结果讨论 | 第51-55页 |
| 5.1 器件灵敏性检测 | 第51-52页 |
| 5.2 器件选择性检测 | 第52-53页 |
| 5.3 小结 | 第53-55页 |
| 第六章 总结展望 | 第55-57页 |
| 6.1 全文总结 | 第55页 |
| 6.2 研究展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
