B-Ti-N材料薄膜组分扩展方法研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-20页 |
| ·氮化硼材料结构和特性 | 第8-12页 |
| ·BN的相结构与性质 | 第8-10页 |
| ·立方氮化硼 | 第10-11页 |
| ·氮化硼薄膜的制备 | 第11-12页 |
| ·TiN薄膜 | 第12-13页 |
| ·TiN薄膜的结构和性能 | 第12-13页 |
| ·TiN薄膜的应用 | 第13页 |
| ·Ti-B-N薄膜研究现状 | 第13-14页 |
| ·磁控溅射 | 第14-16页 |
| ·组分扩展技术 | 第16-18页 |
| ·论文构成 | 第18-20页 |
| 第二章 实验装置与方法 | 第20-26页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体源的原理及特点 | 第20-21页 |
| ·MW-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术 | 第21-23页 |
| ·掩模限位连续组分扩展薄膜材料库制备方法 | 第23-24页 |
| ·薄膜生长温度梯度高效优化方法 | 第24-26页 |
| 第三章 薄膜性能的表征方法 | 第26-30页 |
| ·傅立叶变换红外光谱 | 第26-27页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第27-28页 |
| ·纳米压痕仪 | 第28-29页 |
| ·膜厚测量仪 | 第29-30页 |
| 第四章 BN薄膜制备 | 第30-40页 |
| ·温度对BN薄膜的影响 | 第30-33页 |
| ·氮气流量对BN薄膜组分的影响 | 第33页 |
| ·基片偏压和气压对BN薄膜生长的影响 | 第33-36页 |
| ·微波等离子体对BN薄膜生长的影响 | 第36-37页 |
| ·两步法制备BN薄膜 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第五章 Ti-B-N组分扩展薄膜制备与研究 | 第40-44页 |
| ·实验 | 第40页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第40-41页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)结果 | 第41-43页 |
| ·电阻率测量 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 附录A 氮化硅薄膜的制备 | 第50-54页 |
| SiNx薄膜的结构与性能 | 第50-51页 |
| SiNx薄膜实验研究 | 第51-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
