| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 黑硅材料的制备和应用 | 第11-13页 |
| 1.2.1 制备 | 第11-13页 |
| 1.2.2 应用 | 第13页 |
| 1.3 黑硅光电器件的国内外研究现状 | 第13-17页 |
| 1.3.1 光伏应用 | 第13-14页 |
| 1.3.2 光电探测器应用 | 第14-17页 |
| 1.4 研究内容及技术路线 | 第17-20页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第17-18页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第18页 |
| 1.4.3 技术路线 | 第18-20页 |
| 第二章 Si-APD光电二极管简介 | 第20-29页 |
| 2.1 器件结构和工作原理 | 第20-22页 |
| 2.1.1 APD典型结构分析 | 第20-21页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2 器件性能参数 | 第22-27页 |
| 2.2.1 光谱响应范围 | 第22页 |
| 2.2.2 量子效率与响应度 | 第22-24页 |
| 2.2.3 雪崩倍增因子 | 第24页 |
| 2.2.4 暗电流 | 第24-25页 |
| 2.2.5 伏安特性 | 第25-26页 |
| 2.2.6 过剩噪声 | 第26页 |
| 2.2.7 响应速度 | 第26-27页 |
| 2.3 器件结构参数设计和优化 | 第27-28页 |
| 2.4 Si-APD光电探测器存在的不足 | 第28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 黑硅材料特性分析 | 第29-36页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 光学分析 | 第29-31页 |
| 3.3 能带结构分析 | 第31-35页 |
| 3.4 黑硅材料光电特性分析 | 第35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 传统Si-APD探测器仿真研究 | 第36-51页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 仿真软件介绍 | 第36-40页 |
| 4.3 仿真结果与讨论 | 第40-46页 |
| 4.3.1 器件结构和电场分布 | 第40-43页 |
| 4.3.2 I-V特性曲线和暗电流 | 第43页 |
| 4.3.3 雪崩倍增因子 | 第43-44页 |
| 4.3.4 光谱响应特性 | 第44-45页 |
| 4.3.5 响应时间 | 第45-46页 |
| 4.4 不同入射面对光谱响应的影响 | 第46页 |
| 4.5 结构参数对器件特性的影响 | 第46-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 基于黑硅材料Si-APD探测器功能仿真研究 | 第51-61页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 基本结构仿真研究 | 第51-56页 |
| 5.2.1 器件结构和电场分布 | 第52-54页 |
| 5.2.2 光谱响应曲线 | 第54-55页 |
| 5.2.3 I-V特性曲线、暗电流和雪崩倍增因子 | 第55-56页 |
| 5.2.4 响应时间 | 第56页 |
| 5.3 结构参数对器件性能的影响 | 第56-60页 |
| 5.3.1 黑硅尖锥参数 | 第56-58页 |
| 5.3.2 P区分布 | 第58-59页 |
| 5.3.3 π 区分布 | 第59-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 结论 | 第61-62页 |
| 6.2 展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |