| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的研究背景及研究意义 | 第9-11页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的应用 | 第11-12页 |
| 1.4 有机场效应晶体管在发展过程中存在的问题 | 第12页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 OFET的几种机构，常用材料，工作原理，性能指标以及器件制备和表征 | 第14-29页 |
| 2.1 传统OFET及新型OFET | 第14-16页 |
| 2.1.1 传统OFET的四种结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 新型OFET | 第15-16页 |
| 2.2 OFET材料 | 第16-18页 |
| 2.3 OFET的基本工作原理 | 第18-19页 |
| 2.4 OFET的性能指标 | 第19-23页 |
| 2.4.1 OFET的两种特性曲线 | 第19-20页 |
| 2.4.2 载流子迁移率的作用及计算 | 第20-22页 |
| 2.4.3 阈值电压的测定 | 第22-23页 |
| 2.4.4 开关比的测定 | 第23页 |
| 2.5 OFET器件的制备和表征 | 第23-28页 |
| 2.5.1 OFET的制备 | 第24-26页 |
| 2.5.2 OFET的表征 | 第26-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 对基于Cu Pc的OFET器件性能提高的探索 | 第29-40页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 界面修饰对器件性能的提高 | 第30-37页 |
| 3.2.1 利用Mo O3修饰电极/有机半导体界面 | 第30-31页 |
| 3.2.2 利用掺杂层修饰有机半导体层/绝缘层界面 | 第31-37页 |
| 3.3 后处理对器件性能的提高 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 对基于并五苯的OFET器件性能提高的探索 | 第40-47页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 界面修饰对基于并五苯的OFET器件阈值电压的调控 | 第40-43页 |
| 4.3 研究并五苯的蒸镀速率对器件性能的影响 | 第43-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 利用有机场效应晶体管对DNA进行检测 | 第47-53页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 实验 | 第47-50页 |
| 5.3 实验分析与问题解决方案 | 第50-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-56页 |
| 6.1 总结 | 第53-54页 |
| 6.2 创新点 | 第54页 |
| 6.3 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 附录1 读硕士学位期间撰写的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
