| 摘要 | 第2-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第10-19页 |
| 1.2.1 测量二次电子发射装置和实验方法 | 第10-16页 |
| 1.2.2 二次电子发射抑制的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 研究内容和论文安排 | 第19-21页 |
| 第2章 二次电子发射的基本理论 | 第21-29页 |
| 2.1 二次电子发射现象 | 第21-22页 |
| 2.2 二次电子发射特性 | 第22-23页 |
| 2.3 二次电子发射特性的测量 | 第23-28页 |
| 2.3.1 二次电子发射系数的测量 | 第24-27页 |
| 2.3.2 能谱的测量 | 第27-28页 |
| 2.4 小结 | 第28-29页 |
| 第3章 低能区二次电子发射系数的测量 | 第29-47页 |
| 3.1 原有测量方法及其存在的问题 | 第29-33页 |
| 3.1.1 偏压电流法和收集级法 | 第29-32页 |
| 3.1.2 存在问题及解决思路 | 第32-33页 |
| 3.2 双表法测量原理和基本结果 | 第33-35页 |
| 3.2.1 双表法测量原理 | 第33-34页 |
| 3.2.2 在样品台偏压-20V时SEY的初步测量结果 | 第34-35页 |
| 3.3 双表法实际测量条件的限定 | 第35-40页 |
| 3.3.1 原有电流法和收集级法偏压的限定条件 | 第35-36页 |
| 3.3.2 双表法不同偏压下SEY的对比 | 第36-38页 |
| 3.3.3 双表法测量条件的限定 | 第38-40页 |
| 3.4 低能区二次电子发射系数的测量 | 第40-45页 |
| 3.4.1 低能区双表法测量的可行性分析 | 第40-41页 |
| 3.4.2 实验及结果分析 | 第41-44页 |
| 3.4.3 微波常用金属的低能区二次电子发射系数 | 第44-45页 |
| 3.5 低能区SEY曲线对数值模拟分析微放电阈值的影响 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 表面状态改变对SEY的影响研究 | 第47-59页 |
| 4.1 金属材料二次电子发射系数受表面吸附处理(加热)的共性研究 | 第47-50页 |
| 4.1.1 分类金属二次电子发射系数的对比研究 | 第47-48页 |
| 4.1.2 温度加热对金属二次电子发射系数的影响 | 第48-50页 |
| 4.2 高频段微波部件趋肤深度下规则陷阱结构对表面SEY影响规律的研究 | 第50-54页 |
| 4.2.1 实验衬底表面平整度的研究 | 第50-51页 |
| 4.2.2 实验样品的制备及其表面形貌的表征 | 第51-53页 |
| 4.2.3 结果对比分析 | 第53-54页 |
| 4.3 原子层沉积TiN抑制表面SEY的研究 | 第54-57页 |
| 4.3.1 原子层沉积TiN样品的制备 | 第54-56页 |
| 4.3.2 实验分析 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-70页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第70页 |
