| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 TFT 的结构和工作机理 | 第10-14页 |
| 1.2.1 影响 TFT 电学性能的参数 | 第11-12页 |
| 1.2.2 TFT 的发展历程及现状 | 第12-14页 |
| 1.3 铁电 SnO_2TFT | 第14-19页 |
| 1.3.1 SnO_2薄膜简介 | 第14-15页 |
| 1.3.2 铁电材料的概述 | 第15-17页 |
| 1.3.3 铁电 SnO_2TFT 的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3.4 铁电 SnO_2TFT 的材料选择和特性 | 第18-19页 |
| 1.4 论文的研究思路和主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 BNT 和 SnO_2薄膜的制备与表征方法 | 第21-28页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第21-25页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积法 | 第21-22页 |
| 2.1.2 分子束外延法 | 第22-23页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第23-24页 |
| 2.1.4 溶胶凝胶法 | 第24-25页 |
| 2.2 BNT 和 SnO_2薄膜的表征方法 | 第25-28页 |
| 2.2.1 薄膜厚度测试仪 | 第25页 |
| 2.2.2 X 射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.2.4 铁电分析仪 | 第26页 |
| 2.2.5 半导体分析测试仪 | 第26-28页 |
| 第3章 SnO_2沟道铁电薄膜晶体管的制备与性能分析 | 第28-40页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 BNT 和 SnO_2薄膜的制备与表征 | 第28-35页 |
| 3.2.1 BNT 和 SnO_2薄膜的制备 | 第28-31页 |
| 3.2.2 BNT 和 SnO_2薄膜的性能表征 | 第31-35页 |
| 3.3 SnO_2沟道铁电薄膜晶体管的制备与性能分析 | 第35-38页 |
| 3.3.1 SnO_2沟道铁电薄膜晶体管的制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 SnO_2沟道铁电薄膜晶体管的性能分析 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 SnO_2沟道铁电薄膜晶体管的性能改善 | 第40-46页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 不同退火温度的 SnO_2薄膜对 TFT 性能的影响 | 第40-41页 |
| 4.3 不同 Sb 掺杂浓度的 SnO_2薄膜对 TFT 性能的影响 | 第41-44页 |
| 4.3.1 不同 Sb 掺杂浓度的 SnO_2薄膜对 SnO_2/BNT/Pt TFT 性能的影响 | 第42-43页 |
| 4.3.2 不同 Sb 掺杂浓度的 SnO_2薄膜对 SnO_2/BNT/Si TFT 性能的影响 | 第43-44页 |
| 4.7 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 5.1 论文总结 | 第46-47页 |
| 5.2 展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第55页 |
