| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 Heusler 合金 | 第9-11页 |
| 1.1.1 Heusler 合金简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 Heusler 合金的研究状况 | 第10-11页 |
| 1.2 半金属材料 | 第11-16页 |
| 1.2.1 半金属材料的基本特征 | 第11-13页 |
| 1.2.2 半金属材料的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.2.3 Slater-Pauling 法则 | 第14-16页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容、目的和意义 | 第17-19页 |
| 第二章 理论方法 | 第19-23页 |
| 2.1 第一性原理计算介绍 | 第19页 |
| 2.2 交换-关联能泛函 | 第19-21页 |
| 2.3 赝势方法 | 第21页 |
| 2.4 本文使用的计算软件包 | 第21-23页 |
| 第三章 Heusler 合金 Rh_3Z（Z=Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sb）的电子结构和磁性的研究 | 第23-31页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第23-24页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第24-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 四方结构 Heusler 合金 Mn_3Z（Z=Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb）的相稳定性和磁性的研究 | 第31-39页 |
| 4.1 引言 | 第31页 |
| 4.2 计算模型与方法 | 第31-32页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第32-37页 |
| 4.3.1 Mn_3Z（Z=Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb）系列合金的晶格常数 | 第32-33页 |
| 4.3.2 四方结构 Heusler 合金 Mn_3Z（Z=Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb）的相稳定性 | 第33-35页 |
| 4.3.3 四方结构 Heusler 合金 Mn_3Z（Z=Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb）的磁性 | 第35-37页 |
| 4.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第五章 Half-Heusler 型拓扑绝缘体 LaPtBi 电子结构的研究 | 第39-47页 |
| 5.1 引言 | 第39页 |
| 5.2 计算模型与方法 | 第39-40页 |
| 5.3 研究结果与讨论 | 第40-46页 |
| 5.3.1 LaPtBi 的晶格优化和两种能带结构的对比 | 第40页 |
| 5.3.2 LaPtBi 合金在等轴应力下的能带结构 | 第40-43页 |
| 5.3.3 LaPtBi 合金在等体积单轴应力下的能带结构 | 第43-46页 |
| 5.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
