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SiC功率器件建模技术研究

摘要第8-10页
ABSTRACT第10-11页
第一章 绪论第12-18页
    1.1 课题研究背景及意义第12-13页
    1.2 SiC功率器件的发展历史第13-15页
    1.3 SiC功率器件建模发展状况第15-16页
    1.4 本论文的主要工作及内容安排第16-18页
第二章 SiC功率器件基本工作原理及物理模型第18-30页
    2.1 SiC JBS工作原理及物理模型第18-21页
        2.1.1 SiC JBS工艺流程第18-19页
        2.1.2 SiC JBS工作原理第19-20页
        2.1.3 SiC JBS基本模型第20-21页
    2.2 SiC MOSFET工作原理及物理模型第21-28页
        2.2.1 SiC MOSFET工艺流程第22-23页
        2.2.2 SiC MOSFET工作原理第23-25页
        2.2.3 SiC MOSFET输出特性模型第25-26页
        2.2.4 SiC MOSFET电容模型第26-28页
    2.3 本章小结第28-30页
第三章 SiC功率器件建模与测试方法第30-47页
    3.1 SiC MOSFET模型比较第30-33页
    3.2 SiC功率器件测试方法第33-41页
        3.2.1 SiC JBS和SiC MOSFET正向特性测试第33-36页
        3.2.2 SiC MOSFET阈值电压测试第36页
        3.2.3 SiC JBS和MOSFET动态电容测试第36-40页
        3.2.4 SiC MOSFET双脉冲开关测试第40-41页
    3.3 模型描述语言Verilog-A第41-43页
    3.4 模型仿真软件ADS第43-46页
        3.4.1 使用ADS的模型导入第43-44页
        3.4.2 使用ADS的仿真控件第44-46页
    3.5 本章小结第46-47页
第四章 SiC JBS模型建立及验证第47-53页
    4.1 SiC JBS正向模型建立及仿真验证第47-49页
    4.2 SiC JBS电容模型建立及仿真验证第49-50页
    4.3 SiC JBS开关特性仿真验证第50-52页
    4.4 本章小结第52-53页
第五章 SiC MOSFET模型建立及验证第53-76页
    5.1 SiC MOSFET输出特性模型建立及仿真验证第53-58页
    5.2 SiC MOSFET电容模型建立及仿真验证第58-65页
    5.3 SiC MOSFET双脉冲开关测试验证第65-68页
    5.4 双脉冲测试电路杂散参数的影响第68-74页
    5.5 本章小结第74-76页
第六章 全文总结和展望第76-78页
参考文献第78-82页
致谢第82-83页
攻读学位期间发表的学术论文目录第83-84页
学位论文评阅及答辩情况表第84页

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