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面向50 Gbps及以上光通信应用的新原理高速雪崩光电二极管的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-23页
    1.1 APD发展综述第10-12页
    1.2 国内外研究近况第12-18页
    1.3 研究背景和研究目的第18-20页
    1.4 本论文的主要工作和内容安排第20-23页
2 抑制空穴陷阱效应提升APD的响应速率第23-52页
    2.1 空穴陷阱效应简介第23-27页
    2.2 空穴陷阱效应全面理论分析第27-40页
    2.3 包含空穴陷阱效应的APD等效电路模型分析第40-44页
    2.4 空穴陷阱效应的实验测试第44-47页
    2.5 高速APD最优过渡层结构设计方案第47-51页
    2.6 本章总结第51-52页
3 利用三维倍增区来提升APD速率第52-81页
    3.1 一维Dead Space模型第52-63页
    3.2 三维Dead Space模型第63-74页
    3.3 利用三维倍增区结构提升APD带宽第74-80页
    3.4 本章总结第80-81页
4 利用外加动态偏压提升APD的响应速率第81-108页
    4.1 动态偏压探测器简介第81-83页
    4.2 和寿命相关的Dead Space模型第83-91页
    4.3 动态偏压APD的增益和带宽计算第91-98页
    4.4 结果与讨论第98-101页
    4.5 不同偏置电压类型结果的比较第101-106页
    4.6 总结第106-108页
5 50 Gbps及以上速率APD最终设计方案第108-129页
    5.1 其他提升APD响应速率的方法第108-117页
    5.2 各种方案间的比较第117-122页
    5.3 实现大于50 Gbps APD的最终设计方案第122-125页
    5.4 工艺可行性分析第125-128页
    5.5 本章总结第128-129页
6. 总结与展望第129-132页
    6.1 本文总结第129-130页
    6.2 展望第130-132页
致谢第132-133页
参考文献第133-146页
附录一 攻读博士学位期间发表论文情况说明第146页

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