| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 电力电子技术的重要性 | 第10-11页 |
| 1.2 功率器件的发展 | 第11-13页 |
| 1.3 我国功率器件市场现状 | 第13-16页 |
| 第二章 常用功率半导体器件及其技术 | 第16-30页 |
| 2.1 主要功率器件的结构及原理 | 第17-26页 |
| 2.2 功率器件设计中的常用技术 | 第26-30页 |
| 2.2.1 优化横向变掺杂(Optimized Variational Lateral Doping)技术 | 第26-27页 |
| 2.2.2 降低表面电场（Reduced Surface Field）技术 | 第27-29页 |
| 2.2.3 硅片直接键合（Silicon Direct Bonding）技术 | 第29-30页 |
| 第三章 基于碰撞电离率的平行平面结和晶闸管的研究 | 第30-48页 |
| 3.1 非穿通平行平面结的基本计算 | 第30-32页 |
| 3.2 碰撞电离率积分的化简 | 第32-34页 |
| 3.3 MILLER公式中S参数与掺杂浓度的关系确定 | 第34-38页 |
| 3.4 应用MATLAB对晶闸管基本原理分析与仿真 | 第38-47页 |
| 3.4.1 晶闸管内部载流子的分布模型 | 第39-40页 |
| 3.4.2 对阻断态下晶闸管内部载流子的解析分析 | 第40-41页 |
| 3.4.3 正向阻断时的雪崩击穿条件的确定 | 第41-43页 |
| 3.4.4 对MATLAB提取参数准确性的确定 | 第43-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 发射极开关晶闸管(EST)的仿真研究 | 第48-62页 |
| 4.1 典型EST结构的研究 | 第48-57页 |
| 4.1.1 EST器件仿真参数的确定 | 第48-50页 |
| 4.1.2 EST正向导通区域划分 | 第50-54页 |
| 4.1.3 EST瞬态特性分析 | 第54-55页 |
| 4.1.4 EST的可实现工艺流程 | 第55-57页 |
| 4.2 带分流器的EST(ESTD)的仿真研究 | 第57-59页 |
| 4.2.1 ESTD的结构分析 | 第57-58页 |
| 4.2.2 ESTD的导通特性的分析 | 第58页 |
| 4.2.3 ESTD的关断特性的分析 | 第58-59页 |
| 4.3 其他基于EST的改进型器件研究 | 第59-61页 |
| 4.3.1 双沟道EST(DCEST)的模型分析 | 第59-60页 |
| 4.3.2 双沟道EST(DCEST)的关断时载流子分布 | 第60页 |
| 4.3.3 双栅EST(DGEST)的研究 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
