| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 传感器概述 | 第9-10页 |
| 1.2 气体传感器 | 第10-11页 |
| 1.3 金属氧化物半导体气体传感器 | 第11-14页 |
| 1.4 纳米氧化铟及其应用 | 第14-18页 |
| 1.4.1 In_2O_3基本性能 | 第14-15页 |
| 1.4.2 纳米In_2O_3的应用 | 第15-16页 |
| 1.4.3 In_2O_3气体传感器 | 第16-18页 |
| 1.5 硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)的制备及其气体传感器 | 第18-20页 |
| 1.5.1 Si-NPA的制备 | 第18-19页 |
| 1.5.2 基于Si-NPA的气体传感器 | 第19-20页 |
| 1.6 本文选题依据与研究内容 | 第20-21页 |
| 2 化学气相沉积(CVD)法制备In_3O_2/Si-NPA及其表征 | 第21-30页 |
| 2.1 纳米In_3O_2的制备方法 | 第21-24页 |
| 2.2 化学气相沉积法制备纳米In302 | 第24-27页 |
| 2.3 纳米In_3O_2的结构与形貌表征 | 第27-29页 |
| 2.3.1 生长时间对In_3O_2纳米结构表面形貌的影响 | 第27-28页 |
| 2.3.2 生长时间对In_3O_2纳米结构XRD的影响 | 第28-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 3 真空蒸镀法制备In_3O_2/Si-NPA | 第30-41页 |
| 3.1 真空蒸镀法 | 第30-31页 |
| 3.2 真空蒸镀法制备纳米In_3O_2 | 第31-34页 |
| 3.3 纳米In_3O_2的结构与形貌表征 | 第34-39页 |
| 3.3.1 蒸镀时间对In膜形貌的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.2 蒸镀时间对In膜RXD的影响 | 第36页 |
| 3.3.3 退火处理对不同蒸镀时间所得In膜形貌结构的影响 | 第36-38页 |
| 3.3.4 退火温度对In膜RXD的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-41页 |
| 4 In_3O_2/Si-NPA元件的气敏性能测试及分析 | 第41-53页 |
| 4.1 气敏测试流程 | 第42-43页 |
| 4.2 In_2O_3/Si-NPA的气敏性能 | 第43-51页 |
| 4.2.1 CVD法制备In_2O_3/Si-NPA的气敏性能 | 第43-47页 |
| 4.2.2 真空蒸镀技术制备In_2O_3/Si-NPA的气敏性能 | 第47-51页 |
| 4.3 小结 | 第51-53页 |
| 5 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 硕士期间完成的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
