摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-24页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 几种不同钒氧化物的晶体结构和特性 | 第11-17页 |
1.2.1 二氧化钒的晶体结构和特性 | 第11-15页 |
1.2.2 三氧化二钒的晶体结构和特性 | 第15-16页 |
1.2.3 五氧化二钒的晶体结构和特性 | 第16-17页 |
1.3 氧化钒的典型应用 | 第17-20页 |
1.3.1 智能窗 | 第17-18页 |
1.3.2 光学开光与存储 | 第18页 |
1.3.3 激光防护 | 第18-20页 |
1.3.4 非制冷红外探测器 | 第20页 |
1.4 氧化钒薄膜性能调控方法 | 第20-22页 |
1.4.1 概述 | 第20页 |
1.4.2 掺杂对二氧化钒结构性能的影响 | 第20-21页 |
1.4.3 基片温度对二氧化钒结构性能的影响 | 第21页 |
1.4.4 热处理对二氧化钒结构性能的影响 | 第21-22页 |
1.5 选题意义与研究内容 | 第22-24页 |
1.5.1 选题意义 | 第22页 |
1.5.2 主要研究内容 | 第22页 |
1.5.3 论文结构 | 第22-24页 |
第二章 掺Gd氧化钒薄膜相变性能及微结构分析 | 第24-41页 |
2.1 薄膜制备 | 第24-29页 |
2.1.1 磁控溅射原理 | 第24-25页 |
2.1.2 复合靶材 | 第25-26页 |
2.1.3 薄膜制备工艺 | 第26-29页 |
2.2 掺Gd对氧化钒薄膜相变特性的影响 | 第29-32页 |
2.3 氧化钒薄膜的XRD分析 | 第32-34页 |
2.4 氧化钒薄膜的Raman分析 | 第34-36页 |
2.5 氧化钒薄膜的SEM分析 | 第36-38页 |
2.6 氧化钒薄膜的XPS分析 | 第38-40页 |
2.7 本章小结 | 第40-41页 |
第三章 基片温度对掺Gd氧化钒薄膜相变性能及微结构的影响 | 第41-49页 |
3.1 薄膜制备 | 第41页 |
3.2 基片温度对掺Gd氧化钒薄膜电阻温度特性的影响 | 第41-44页 |
3.2.1 基片温度对薄膜相变特性的影响 | 第41-43页 |
3.2.2 基片温度对薄膜TCR的影响 | 第43-44页 |
3.3 掺Gd氧化钒薄膜的XRD分析 | 第44-46页 |
3.4 掺Gd氧化钒薄膜的Raman分析 | 第46-47页 |
3.5 掺Gd氧化钒薄膜的SEM分析 | 第47-48页 |
3.6 本章小结 | 第48-49页 |
第四章 基片温度对掺Y氧化钒薄膜相变性能及微结构的影响 | 第49-59页 |
4.1 掺Y氧化钒薄膜的制备 | 第49-50页 |
4.2 基片温度对掺Y氧化钒薄膜电学性能的影响 | 第50-53页 |
4.2.1 基片温度对薄膜相变特性的影响 | 第50-52页 |
4.2.2 基片温度对薄膜TCR的影响 | 第52-53页 |
4.3 掺Y氧化钒薄膜的XRD分析 | 第53-54页 |
4.4 掺Y氧化钒薄膜的Raman分析 | 第54-55页 |
4.5 掺Y氧化钒薄膜的SEM分析 | 第55-56页 |
4.6 掺Y氧化钒薄膜的AFM分析 | 第56-58页 |
4.7 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 结论和展望 | 第59-61页 |
5.1 结论 | 第59-60页 |
5.2 展望 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-68页 |
攻读硕士学位期间研究成果 | 第68-69页 |