MOSFET并联驱动技术的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 MOSFET与IGBT的区别 | 第12-13页 |
| 1.3 MOSFET的介绍 | 第13-14页 |
| 1.4 课题研究的主要内容 | 第14-15页 |
| 第2章 MOSFET的选取及工作特性分析 | 第15-32页 |
| 2.1 MOSFET的选择 | 第15-17页 |
| 2.1.1 截止电压V_(DS)（耐压） | 第15-16页 |
| 2.1.2 最大连续漏电流I_D | 第16页 |
| 2.1.3 确定散热需求 | 第16-17页 |
| 2.2 MOSFET的工作特性 | 第17-22页 |
| 2.2.1 MOSFET的静态特性 | 第17-18页 |
| 2.2.2 动态特性 | 第18-22页 |
| 2.3 功率MOSFET的并联技术及仿真 | 第22-27页 |
| 2.3.1 静态均流 | 第23页 |
| 2.3.2 动态均流 | 第23-24页 |
| 2.3.3 MOSFET并联均流仿真 | 第24-27页 |
| 2.4 MOSFET栅极驱动的阻容选择 | 第27-29页 |
| 2.5 驱动参数计算 | 第29-30页 |
| 2.5.1 驱动器的驱动功率 | 第29-30页 |
| 2.5.2 驱动器的峰值电流 | 第30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 驱动短路保护电路设计与分析 | 第32-44页 |
| 3.1 短路的定义 | 第32-33页 |
| 3.2 短路电流的分类 | 第33-34页 |
| 3.3 短路检测与防护 | 第34-39页 |
| 3.3.1 减饱和检测 | 第35-38页 |
| 3.3.2 动态栅极控制 | 第38-39页 |
| 3.3.3 有源钳位技术 | 第39页 |
| 3.4 栅极驱动方式 | 第39-42页 |
| 3.4.1 隔离电源驱动技术 | 第39-40页 |
| 3.4.2 自举驱动技术 | 第40页 |
| 3.4.3 零偏置关断电压栅极驱动 | 第40-41页 |
| 3.4.4 负偏置关断电压栅极驱动 | 第41-42页 |
| 3.5 IGBT与MOSFET的驱动技术的区别 | 第42-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 系统电路的硬件设计分析与实验结论 | 第44-62页 |
| 4.1 电机控制器的硬件设计 | 第44-53页 |
| 4.1.1 器件的选取 | 第44-46页 |
| 4.1.2 驱动电源的设计 | 第46-49页 |
| 4.1.3 系统的过流检测 | 第49-51页 |
| 4.1.4 驱动布局及PCB设计 | 第51-52页 |
| 4.1.5 寄生电感与电磁干扰 | 第52-53页 |
| 4.2 散热分析与安装 | 第53-58页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第58-62页 |
| 4.3.1 短路保护技术性能测试 | 第58-59页 |
| 4.3.2 测试功率板的发热 | 第59-62页 |
| 第5章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 作者简介 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
