| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第16-17页 |
| 1.2 功率半导体器件的发展概况 | 第17-18页 |
| 1.3 横向功率MOS器件 | 第18-20页 |
| 1.4 论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 LDMOS器件的耐压技术研究 | 第22-36页 |
| 2.1 RESURF技术 | 第22-27页 |
| 2.1.1 RESURF技术的原理 | 第22-24页 |
| 2.1.2 RESURF LDMOS的耐压分析 | 第24-27页 |
| 2.2 常用终端技术 | 第27-31页 |
| 2.2.1 场板技术 | 第27-28页 |
| 2.2.2 场限环技术 | 第28-29页 |
| 2.2.3 结终端扩展技术 | 第29-30页 |
| 2.2.4 横向变掺杂技术 | 第30-31页 |
| 2.3 体终端技术 | 第31-32页 |
| 2.4 仿真软件ISE-TCAD简介 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-36页 |
| 第三章 填氧型沟槽新型双栅LDMOS结构 | 第36-48页 |
| 3.1 新型OT-DGLDMOS的器件结构和工作原理 | 第36-37页 |
| 3.2 新型OT-DGLDMOS器件与传统器件性能比较 | 第37-41页 |
| 3.2.1 新型OT-DGLDMOS与常规LDMOS的性能比较 | 第37-39页 |
| 3.2.2 新型OT-DGLDMOS与单栅沟槽LDMOS的性能比较 | 第39-41页 |
| 3.3 器件性能影响因素的仿真分析 | 第41-44页 |
| 3.3.1 沟槽深度的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.2 沟槽宽度的影响 | 第42页 |
| 3.3.3 沟槽位置的影响 | 第42-43页 |
| 3.3.4 漂移区浓度的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 新型OT-DGLDMOS器件的工艺简介 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 全耗尽型超结埋层LDMOS结构 | 第48-64页 |
| 4.1 SJBL-LDMOS的器件结构和工作原理 | 第48-49页 |
| 4.2 SJBL-LDMOS器件与传统器件性能比较 | 第49-52页 |
| 4.3 器件性能仿真分析 | 第52-58页 |
| 4.3.1 超结埋层深度的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 超结埋层宽度的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.3 超结埋层掺杂浓度的影响 | 第55-57页 |
| 4.3.4 漂移区浓度的影响 | 第57-58页 |
| 4.4 SJBL-LDMOS器件的工艺简介 | 第58-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72-74页 |
