| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第10-25页 |
| 1.1 突触可塑性概论 | 第11-15页 |
| 1.1.1 突触可塑性理论的发展历程 | 第12-14页 |
| 1.1.2 短时程突触可塑性与长时程突触可塑性 | 第14页 |
| 1.1.3 脉冲频率依赖可塑性与脉冲时间依赖可塑性 | 第14-15页 |
| 1.2 神经突触模拟的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.2.1 基于传统CMOS的神经形态工程学 | 第15-16页 |
| 1.2.2 忆阻器模拟突触可塑性 | 第16-18页 |
| 1.2.3 基于有机膜界面离子迁移调控的突触可塑性模拟 | 第18-19页 |
| 1.3 聚合物半导体概述 | 第19-23页 |
| 1.3.1 聚合物半导体的导电机理 | 第20-21页 |
| 1.3.2 聚合物半导体异质结 | 第21-22页 |
| 1.3.3 PEO基聚合物电解质 | 第22-23页 |
| 1.3.4 聚对苯撑乙炔衍生物（ MEH-PPV） | 第23页 |
| 1.4 本文的研究思路及内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验原理与方法 | 第25-30页 |
| 2.1 薄膜样品制备技术介绍 | 第25-26页 |
| 2.1.1 电子束蒸镀 | 第25页 |
| 2.1.2 旋转涂覆 | 第25-26页 |
| 2.2 器件制备流程 | 第26-27页 |
| 2.2.1 基片预处理 | 第26页 |
| 2.2.2 有机薄膜制备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 顶电极制备 | 第27页 |
| 2.3 器件的测试与表征方法 | 第27-30页 |
| 2.3.1 电学性能测试 | 第27-28页 |
| 2.3.2 台阶仪 | 第28页 |
| 2.3.3 拉曼光谱 | 第28-29页 |
| 2.3.4 X射线衍射 | 第29页 |
| 2.3.5 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 第3章 MEH-PPV/PEO-Li~+神经模拟器单元 | 第30-43页 |
| 3.1 MEH-PPV/PEO-Li~+神经模拟器单元的设计与制备 | 第30-31页 |
| 3.2 MEH-PPV/PEO-Li~+神经模拟单元的基本电学性质 | 第31-34页 |
| 3.2.1 负差分电阻（NDR）现象 | 第31-32页 |
| 3.2.2 初始态Li~+掺杂假设和单向的离子掺杂特性 | 第32-33页 |
| 3.2.3 关于异质结界面离子迁移情况的讨论 | 第33-34页 |
| 3.3 MEH-PPV/PEO-Li~+神经模拟单元的频率依赖学习机制 | 第34-41页 |
| 3.3.1 突触可塑性模拟 | 第34-36页 |
| 3.3.2 单向的频率选择性 | 第36-38页 |
| 3.3.3 具有长程性的脉冲频率依赖可塑性（ SRDP）模拟 | 第38-40页 |
| 3.3.4 神经模拟器单元与普通RC元件的区别 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 MEH-PPV/PEO-Li~+的微观结构与神经模拟机制 | 第43-52页 |
| 4.1 MEH-PPV/PEO-Li~+神经模拟单元微观结构表征 | 第43-47页 |
| 4.1.1 拉曼表征验证离子初始态掺杂 | 第43-44页 |
| 4.1.2 光镜与SEM表征器件微观形貌 | 第44-45页 |
| 4.1.3 X射线衍射表征有机膜结晶状态 | 第45-46页 |
| 4.1.4 阻抗测试分析离子电导特性 | 第46-47页 |
| 4.2 随机离子通道模型的建立及对神经模拟的机理讨论 | 第47-50页 |
| 4.2.1 随机离子通道模型的构建 | 第47-49页 |
| 4.2.2 频率依赖可塑性（ SRDP）模拟的机理讨论 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结与讨论 | 第50-52页 |
| 第5章 MEH-PPV/PEO-Nd~(3+)大离子迁移型神经模拟器单元 | 第52-68页 |
| 5.1 MEH-PPV/PEO-Nd~(3+)神经模拟器单元的设计与制备 | 第52-53页 |
| 5.2 MEH-PPV/PEO-Nd~(3+)神经模拟器单元的微观结构表征 | 第53-56页 |
| 5.2.1 拉曼表征 | 第53-54页 |
| 5.2.2 X射线衍射表征 | 第54页 |
| 5.2.3 光学显微镜表征 | 第54-55页 |
| 5.2.4 扫描电子显微镜表征 | 第55-56页 |
| 5.2.5 MEH-PPV/PEO-Nd~(3+)的微观结构示意图 | 第56页 |
| 5.3 MEH-PPV/PEO-Nd~(3+)神经模拟单元的基本电学性质 | 第56-59页 |
| 5.3.1 基本电压电流曲线 | 第56-57页 |
| 5.3.2 扫描速率对Nd~(3+)离子迁移的影响 | 第57-59页 |
| 5.4 MEH-PPV/PEO-Nd~(3+)神经模拟单元的频率依赖学习机制 | 第59-62页 |
| 5.4.1 脉冲频率依赖可塑性（SRDP）模拟 | 第59-60页 |
| 5.4.2 对接器件实现双向频率选择 | 第60-62页 |
| 5.5 MEH-PPV/PEO-Nd~(3+)神经模拟单元的阈值调控 | 第62-66页 |
| 5.5.1 脉冲频率阈值 | 第62-64页 |
| 5.5.2 脉冲电压阈值 | 第64-66页 |
| 5.6 本章小结 | 第66-68页 |
| 第6章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第77-78页 |
