| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 SiC MESFET的优势 | 第17-19页 |
| 1.2 SiC MESFET的研究现状 | 第19-24页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET器件物理特性研究分析 | 第27-37页 |
| 2.1 ADS仿真工具 | 第27页 |
| 2.2 ISE-TCAD工具 | 第27-28页 |
| 2.3 4H-SiC MESFET物理特性的分析比较 | 第28-35页 |
| 2.3.1 不同栅结构的 4H-SiC MESFET的物理特性分析 | 第29-32页 |
| 2.3.2 不同沟道层和缓冲层的 4H-SiC MESFET的物理特性分析 | 第32-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 双高栅和凹陷缓冲层 4H-SiC MESFET设计 | 第37-59页 |
| 3.1 器件结构 | 第37-39页 |
| 3.2 DR MESFET、DU MESFET、DURP MESFET的直流特性对比分析 | 第39-43页 |
| 3.2.1 漏电流输出性能分析 | 第39-41页 |
| 3.2.2 击穿分析 | 第41-43页 |
| 3.3 DR MESFET、DU MESFET、DURP MESFET的射频特性对比分析 | 第43-46页 |
| 3.3.1 栅源电容性能分析 | 第43-44页 |
| 3.3.2 跨导性能分析 | 第44-46页 |
| 3.4 DURP MESFET结构参数的优化 | 第46-53页 |
| 3.4.1 栅高对器件特性参数的影响 | 第46-49页 |
| 3.4.2 凹陷缓冲层深度及长度对SiC MESFET特性参数的影响 | 第49-52页 |
| 3.4.3 凹陷缓冲层的位置对SiC MESFET特性参数的影响 | 第52-53页 |
| 3.5 射频功放效率与 4H-SiC MESFET器件性能参数的依赖关系 | 第53-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-59页 |
| 第四章 具有凹陷漏漂移区和缓冲层的坡形栅 4H-SiC MESFET | 第59-65页 |
| 4.1 RDRP-CG MESFET和CG MESFET结构 | 第59-60页 |
| 4.2 直流特性 | 第60-63页 |
| 4.3 射频特性 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 论文总结 | 第65-66页 |
| 5.2 研究展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-75页 |
