摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第12-23页 |
1.1 研究背景 | 第12-13页 |
1.2 InP/Si和InP/GaAs侧向外延研究进展 | 第13-19页 |
1.3 论文结构安排 | 第19-20页 |
参考文献 | 第20-23页 |
第二章 外延材料的制备方法和表征手段 | 第23-34页 |
2.1 金属有机化学气相沉积 | 第23-24页 |
2.2 外延材料的缺陷 | 第24-27页 |
2.2.1 位错 | 第24-25页 |
2.2.2 堆叠层错 | 第25-26页 |
2.2.3 孪晶 | 第26页 |
2.2.4 反相畴 | 第26-27页 |
2.3 外延材料质量表征技术 | 第27-31页 |
2.3.1 X射线衍射仪 | 第27-28页 |
2.3.2 荧光光谱仪 | 第28-29页 |
2.3.3 原子力显微镜 | 第29-30页 |
2.3.4 扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
2.3.5 透射电子显微镜 | 第31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-34页 |
第三章 条型纳米图形衬底阻挡穿透位错原理 | 第34-46页 |
3.1 位错理论基础 | 第34-36页 |
3.1.1 晶体缺陷 | 第34页 |
3.1.2 晶体缺陷的分类 | 第34页 |
3.1.3 位错理论产生背景 | 第34页 |
3.1.4 理论强度 | 第34-35页 |
3.1.5 位错 | 第35-36页 |
3.2 刃型位错和螺旋位错产生机制 | 第36-39页 |
3.2.1 刃型位错模型 | 第36页 |
3.2.2 刃型位错的产生 | 第36-37页 |
3.2.3 刃型位错特征 | 第37页 |
3.2.4 螺旋位错 | 第37-38页 |
3.2.5 螺旋位错的特征 | 第38页 |
3.2.6 混合位错 | 第38-39页 |
3.3 位错线、滑移面、滑移系和滑移机制 | 第39-43页 |
3.3.1 位错线的一些性质 | 第39页 |
3.3.2 柏氏矢量 | 第39-40页 |
3.3.3 简单位错的柏氏矢量 | 第40页 |
3.3.4 位错密度 | 第40页 |
3.3.5 滑移 | 第40-42页 |
3.3.6 滑移力 | 第42-43页 |
3.3.7 滑移系 | 第43页 |
3.4 本章小结 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-46页 |
第四章 条型纳米图形衬底结构设计 | 第46-55页 |
4.1 侧壁阻挡穿透位错理论 | 第46页 |
4.2 侧壁阻挡穿透位错理论模型 | 第46-49页 |
4.3 侧壁阻挡穿透位错比例 | 第49-51页 |
4.4 侧壁阻挡穿透位错理论结果的验证 | 第51-52页 |
4.5 本章小结 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-55页 |
第五章 条型纳米图形衬底的制备 | 第55-64页 |
5.1 纳米图形衬底的制备技术 | 第55-59页 |
5.1.1 条型图形衬底介绍 | 第55页 |
5.1.2 图形衬底尺寸设定 | 第55-56页 |
5.1.3 掩膜生长 | 第56-57页 |
5.1.4 光刻 | 第57-58页 |
5.1.5 刻蚀 | 第58-59页 |
5.2 SiO_2掩膜Si纳米图形衬底生长前的表面处理 | 第59-61页 |
5.2.1 残留光刻胶的去除 | 第60页 |
5.2.2 空气尘埃的去除 | 第60-61页 |
5.2.3 图形窗口内SiO_2的去除 | 第61页 |
5.2.4 干法刻蚀后损伤层的去除 | 第61页 |
5.3 本章小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-64页 |
第六章 InP/GaAs材料侧向外延生长 | 第64-75页 |
6.1 InP/GaAs侧向外延生长 | 第64-71页 |
6.1.1 引言 | 第64-65页 |
6.1.2 实验方案 | 第65-66页 |
6.1.3 实验结果与参数优化 | 第66-70页 |
6.1.4 主要创新点 | 第70页 |
6.1.5 关键技术 | 第70页 |
6.1.6 存在的问题及整改方案 | 第70-71页 |
6.2 本章小结 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-75页 |
第七章 总结与展望 | 第75-76页 |
7.1 总结 | 第75页 |
7.2 展望 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-77页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第77页 |