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条型纳米图形衬底结构设计及InP/GaAs材料侧向外延生长

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第12-23页
    1.1 研究背景第12-13页
    1.2 InP/Si和InP/GaAs侧向外延研究进展第13-19页
    1.3 论文结构安排第19-20页
    参考文献第20-23页
第二章 外延材料的制备方法和表征手段第23-34页
    2.1 金属有机化学气相沉积第23-24页
    2.2 外延材料的缺陷第24-27页
        2.2.1 位错第24-25页
        2.2.2 堆叠层错第25-26页
        2.2.3 孪晶第26页
        2.2.4 反相畴第26-27页
    2.3 外延材料质量表征技术第27-31页
        2.3.1 X射线衍射仪第27-28页
        2.3.2 荧光光谱仪第28-29页
        2.3.3 原子力显微镜第29-30页
        2.3.4 扫描电子显微镜第30-31页
        2.3.5 透射电子显微镜第31页
    2.4 本章小结第31-32页
    参考文献第32-34页
第三章 条型纳米图形衬底阻挡穿透位错原理第34-46页
    3.1 位错理论基础第34-36页
        3.1.1 晶体缺陷第34页
        3.1.2 晶体缺陷的分类第34页
        3.1.3 位错理论产生背景第34页
        3.1.4 理论强度第34-35页
        3.1.5 位错第35-36页
    3.2 刃型位错和螺旋位错产生机制第36-39页
        3.2.1 刃型位错模型第36页
        3.2.2 刃型位错的产生第36-37页
        3.2.3 刃型位错特征第37页
        3.2.4 螺旋位错第37-38页
        3.2.5 螺旋位错的特征第38页
        3.2.6 混合位错第38-39页
    3.3 位错线、滑移面、滑移系和滑移机制第39-43页
        3.3.1 位错线的一些性质第39页
        3.3.2 柏氏矢量第39-40页
        3.3.3 简单位错的柏氏矢量第40页
        3.3.4 位错密度第40页
        3.3.5 滑移第40-42页
        3.3.6 滑移力第42-43页
        3.3.7 滑移系第43页
    3.4 本章小结第43-44页
    参考文献第44-46页
第四章 条型纳米图形衬底结构设计第46-55页
    4.1 侧壁阻挡穿透位错理论第46页
    4.2 侧壁阻挡穿透位错理论模型第46-49页
    4.3 侧壁阻挡穿透位错比例第49-51页
    4.4 侧壁阻挡穿透位错理论结果的验证第51-52页
    4.5 本章小结第52-53页
    参考文献第53-55页
第五章 条型纳米图形衬底的制备第55-64页
    5.1 纳米图形衬底的制备技术第55-59页
        5.1.1 条型图形衬底介绍第55页
        5.1.2 图形衬底尺寸设定第55-56页
        5.1.3 掩膜生长第56-57页
        5.1.4 光刻第57-58页
        5.1.5 刻蚀第58-59页
    5.2 SiO_2掩膜Si纳米图形衬底生长前的表面处理第59-61页
        5.2.1 残留光刻胶的去除第60页
        5.2.2 空气尘埃的去除第60-61页
        5.2.3 图形窗口内SiO_2的去除第61页
        5.2.4 干法刻蚀后损伤层的去除第61页
    5.3 本章小结第61-62页
    参考文献第62-64页
第六章 InP/GaAs材料侧向外延生长第64-75页
    6.1 InP/GaAs侧向外延生长第64-71页
        6.1.1 引言第64-65页
        6.1.2 实验方案第65-66页
        6.1.3 实验结果与参数优化第66-70页
        6.1.4 主要创新点第70页
        6.1.5 关键技术第70页
        6.1.6 存在的问题及整改方案第70-71页
    6.2 本章小结第71-72页
    参考文献第72-75页
第七章 总结与展望第75-76页
    7.1 总结第75页
    7.2 展望第75-76页
致谢第76-77页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第77页

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