中文摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第11-41页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 TiO_2的基本性质 | 第11-14页 |
1.2.1 晶体结构 | 第11-13页 |
1.2.2 TiO_2的能带结构 | 第13-14页 |
1.3 纳米结构TiO_2的制备方法 | 第14-19页 |
1.3.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第14-15页 |
1.3.2 水热合成法 | 第15-17页 |
1.3.3 溶剂热合成法 | 第17-18页 |
1.3.4 微波法 | 第18-19页 |
1.4 低维TiO_2纳米薄膜的构建 | 第19-24页 |
1.5 纳米TiO_2的应用研究进展 | 第24-30页 |
1.5.1 光催化 | 第24-28页 |
1.5.2 太阳电池 | 第28-29页 |
1.5.3 场致电子发射 | 第29-30页 |
1.5.4 传感器 | 第30页 |
1.6 硼掺杂金刚石 | 第30-32页 |
1.6.1 金刚石的结构和性质 | 第30-31页 |
1.6.2 硼掺杂CVD金刚石结构 | 第31页 |
1.6.3 硼掺杂金刚石特性 | 第31-32页 |
1.7 本论文的研究背景和研究内容 | 第32-33页 |
1.8 参考文献 | 第33-41页 |
第二章 硼掺杂金刚石衬底上制备TiO_2纳米棒及电学性质研究 | 第41-65页 |
2.1 引言 | 第41-42页 |
2.2 实验设备 | 第42-45页 |
2.2.1 石英管式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置 | 第42-43页 |
2.2.2 射频磁控溅射设备 | 第43-44页 |
2.2.3 高压釜 | 第44-45页 |
2.3 实验过程 | 第45-48页 |
2.3.1 硼掺杂CVD金刚石膜的制备 | 第45-46页 |
2.3.2 ZnO过渡层的制备 | 第46-47页 |
2.3.3 TiO_2纳米棒的制备 | 第47页 |
2.3.4 样品表征 | 第47-48页 |
2.4 实验结果与分析 | 第48-54页 |
2.4.1 硼掺杂金刚石膜 | 第48-49页 |
2.4.2 ZnO过渡层对生长TiO_2纳米棒形貌的影响 | 第49-50页 |
2.4.3 TiO_2纳米棒的晶体结构和TEM形貌 | 第50-51页 |
2.4.4 反应时间对TiO_2纳米棒形貌的影响 | 第51-52页 |
2.4.5 反应温度对TiO_2纳米棒形貌的影响 | 第52-54页 |
2.5 硼掺杂金刚石膜上生长的TiO_2纳米棒的光学性质 | 第54-55页 |
2.6 n-型TiO_2纳米棒/BDD异质结结构的制备及电学性质研究 | 第55-57页 |
2.7 TiO_2纳米棒/BDD场致的场致电子发射特性研究 | 第57-60页 |
2.7.1 场发射测试系统及测试方法 | 第57-59页 |
2.7.2 TiO_2纳米棒/BDD场致电子发射特性测试与分析 | 第59-60页 |
2.8 本章小结 | 第60-61页 |
2.9 参考文献 | 第61-65页 |
第三章 硼掺杂金刚石衬底上制备TiO_2纳米管及n-型TiO_2纳米管/p-型金刚石异质结光电特性 | 第65-83页 |
3.1 引言 | 第65-66页 |
3.2 实验设备 | 第66页 |
3.3 实验过程 | 第66-68页 |
3.3.1 硼掺杂金刚石膜的制备 | 第66页 |
3.3.2 水热法ZnO纳米棒阵列的制备 | 第66-67页 |
3.3.3 TiO_2纳米管阵列的制备 | 第67页 |
3.3.4 样品表征 | 第67-68页 |
3.4 实验结果与分析 | 第68-74页 |
3.4.1 硼掺杂金刚石膜 | 第68页 |
3.4.2 ZnO纳米棒阵列的结构、形貌与成分分析 | 第68-70页 |
3.4.3 TiO_2纳米管阵列的结构,形貌与成分分析 | 第70-72页 |
3.4.4 不同反应浓度制备的ZnO纳米棒模板对TiO_2纳米管形貌影响 | 第72-73页 |
3.4.5 硼掺杂金刚石膜上制备TiO_2纳米管阵列的反应机理 | 第73-74页 |
3.5 n-型TiO_2纳米管/BDD异质结结构的制备及电学性质研究 | 第74-76页 |
3.6 n-型TiO_2纳米管/BDD异质结光催化性能研究 | 第76-79页 |
3.6.1 n-型TiO_2纳米管/BDD异质结光催化实验 | 第76-77页 |
3.6.2 n-型TiO_2纳米管/BDD异质结光催化性能测试及分析 | 第77-79页 |
3.7 本章小结 | 第79页 |
3.8 参考文献 | 第79-83页 |
第四章 液相合成法制备TiO_2纳米片 | 第83-89页 |
4.1 引言 | 第83页 |
4.2 实验过程 | 第83-84页 |
4.2.1 高纯Al膜的溅射 | 第83页 |
4.2.2 ZnO纳米片的制备 | 第83-84页 |
4.2.3 开口TiO_2纳米片的制备 | 第84页 |
4.3 Si衬底上生长ZnO纳米片的结构与形貌 | 第84-86页 |
4.4 Si衬底上生长开口TiO_2纳米片的结构、形貌、成分分析 | 第86-87页 |
4.5 以ZnO纳米片为模板制备开口TiO_2纳米片的反应机理 | 第87页 |
4.6 Si衬底上生长开口TiO_2纳米片的光催化性能研究 | 第87页 |
4.7 本章小结 | 第87-88页 |
4.8 参考文献 | 第88-89页 |
第五章 结论与展望 | 第89-91页 |
5.1 全文总结 | 第89页 |
5.2 工作展望 | 第89-91页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第91-93页 |
致谢 | 第93-94页 |