摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-30页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 石墨烯的结构与性质 | 第10-16页 |
1.2.1 石墨烯的结构 | 第11-12页 |
1.2.2 石墨烯的性质 | 第12-16页 |
1.3 石墨烯的制备方法 | 第16-21页 |
1.3.1 机械剥离法 | 第17-18页 |
1.3.2 外延生长法 | 第18-19页 |
1.3.3 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
1.3.4 化学氧化还原法 | 第20-21页 |
1.4 石墨烯的应用 | 第21-26页 |
1.4.1 电子器件 | 第21页 |
1.4.2 透明电极 | 第21-22页 |
1.4.3 光敏电池材料 | 第22-24页 |
1.4.4 超级电容 | 第24-26页 |
1.4.5 复合材料 | 第26页 |
1.5 本课题研究内容及创新处 | 第26-27页 |
1.5.1 研究内容 | 第26页 |
1.5.2 论文创新点 | 第26-27页 |
参考文献 | 第27-30页 |
第二章 制备与表征 | 第30-40页 |
2.1 引言 | 第30页 |
2.2 CVD法生长机制 | 第30-31页 |
2.3 石墨烯的表征 | 第31-38页 |
2.3.1 扫描电镜(SEM) | 第31-33页 |
2.3.2 拉曼光谱(Raman spectra) | 第33-35页 |
2.3.3 X-射线能谱图(EDS) | 第35-36页 |
2.3.4 X-射线衍射(XRD) | 第36-37页 |
2.3.5 光学显微镜(OM) | 第37-38页 |
参考文献 | 第38-40页 |
第三章 石墨烯CVD制备与工艺研究 | 第40-59页 |
3.1 引言 | 第40-41页 |
3.2 实验试剂和材料 | 第41-42页 |
3.3 CVD生长系统简介 | 第42页 |
3.4 铜箔CVD制备石墨烯的方法 | 第42-45页 |
3.4.2 铜箔上CVD制备石墨烯的方法 | 第42-43页 |
3.4.3 石墨烯的转移 | 第43-44页 |
3.4.4 铜箔的预处理 | 第44-45页 |
3.5 实验结果和讨论 | 第45-56页 |
3.5.1 转移前后对比 | 第45-47页 |
3.5.2 甲烷流量对石墨烯生长的影响 | 第47-50页 |
3.5.3 氢气流量对石墨烯质量的影响 | 第50-53页 |
3.5.4 典型石墨烯样品的制备及其分析 | 第53-56页 |
3.6 本章小结 | 第56-58页 |
参考文献 | 第58-59页 |
第四章 三角形石墨烯的制备 | 第59-69页 |
4.1 引言 | 第59-60页 |
4.2 三角形石墨烯的制备 | 第60页 |
4.3 实验结果和讨论 | 第60-66页 |
4.3.1 三角形石墨烯的SEM以及Raman分析 | 第60-63页 |
4.3.2 三角形石墨烯的延伸 | 第63-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-69页 |
第五章 降温过程中氢气对石墨烯的影响 | 第69-78页 |
5.1 引言 | 第69页 |
5.2 实验结果和讨论 | 第69-76页 |
5.3 本章小结 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-78页 |
第六章 结论与展望 | 第78-80页 |
6.1 结论 | 第78-79页 |
6.2 展望 | 第79-80页 |
6.2.1 今后主要工作 | 第79页 |
6.2.2 展望未来 | 第79-80页 |
致谢 | 第80-81页 |
攻读学位期间的研究成果 | 第81页 |