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功率UMOSFET器件及其SEB加固结构研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第1章 绪论第12-26页
    1.1 研究背景第12-13页
    1.2 功率UMOSFET发展现状第13-19页
    1.3 单粒子烧毁效应第19-23页
        1.3.1 空间辐射环境第19-20页
        1.3.2 单粒子烧毁原理第20-21页
        1.3.3 单粒子烧毁国内外研究现状第21-23页
    1.4 本文的主要研究内容第23-26页
第2章 功率UMOSFET与单粒子烧毁效应基础第26-32页
    2.1 UMOSFET工作原理第26-27页
    2.2 UMOSFET电学参数第27-29页
        2.2.1 阈值电压第27页
        2.2.2 击穿电压第27页
        2.2.3 导通电阻和饱和漏极电流第27-29页
    2.3 单粒子烧毁效应模拟第29-31页
        2.3.1 仿真条件设置第29-30页
        2.3.2 影响单粒子烧毁因素第30-31页
        2.3.3 单粒子烧毁加固方法第31页
    2.4 本章小结第31-32页
第3章 双沟道分裂栅功率UMOSFET器件研究第32-46页
    3.1 引言第32-33页
    3.2 DC SG-RSO UMOS结构特点第33页
    3.3 器件参数与工艺流程第33-36页
        3.3.1 器件仿真参数第33-34页
        3.3.2 工艺流程第34-36页
    3.4 器件基本特性仿真结果及分析第36-39页
        3.4.1 击穿特性与输出特性第36-37页
        3.4.2 栅电荷特性第37-39页
    3.5 器件SEB特性仿真结果及分析第39-41页
        3.5.1 粒子入射位置的确定第39-40页
        3.5.2 单粒子烧毁仿真结果分析第40-41页
    3.6 分裂栅偏压对DC SG-RSO UMOS电学特性的影响第41-45页
        3.6.1 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS击穿特性影响第41-43页
        3.6.2 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS导通特性影响第43-44页
        3.6.3 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS栅漏电荷特性影响第44-45页
        3.6.4 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS单粒子烧毁特性影响第45页
    3.7 本章小结第45-46页
第4章 集成P柱的分裂栅功率UMOSFET器件研究第46-60页
    4.1 引言第46-47页
    4.2 SGP-RSO UMOS结构特点第47页
    4.3 器件参数与工艺流程第47-50页
        4.3.1 器件仿真参数第47-48页
        4.3.2 工艺流程第48-50页
    4.4 器件基本特性仿真结果及分析第50-53页
        4.4.1 击穿特性第50页
        4.4.2 P柱尺寸参数对击穿电压影响第50-53页
        4.4.3 输出特性与导通电阻第53页
    4.5 器件SEB特性仿真结果及分析第53-59页
        4.5.1 仿真条件设置第54页
        4.5.2 单粒子烧毁效应仿真第54页
        4.5.3 优化结构的提出第54-58页
        4.5.4 低温对单粒子烧毁特性的影响第58-59页
    4.6 本章小结第59-60页
第5章 集成肖特基的侧氧功率UMOSFET器件研究第60-68页
    5.1 sOB UMOS结构特点第60-61页
    5.2 器件参数与工艺流程第61-63页
        5.2.1 器件仿真参数第61页
        5.2.2 工艺流程第61-63页
    5.3 仿真结果的分析与讨论第63-65页
        5.3.1 击穿特性与输出特性第63页
        5.3.2 反向恢复特性第63-65页
    5.4 器件SEB特性仿真结果及分析第65-66页
    5.5 肖特基接触参数对反向漏电流影响第66-67页
        5.5.1 肖特基结宽度变化对反向漏电流影响第66页
        5.5.2 肖特基结功函数变化对反向漏电流影响第66-67页
    5.6 本章小结第67-68页
结论第68-70页
参考文献第70-78页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第78-80页
致谢第80页

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