摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-26页 |
1.1 研究背景 | 第12-13页 |
1.2 功率UMOSFET发展现状 | 第13-19页 |
1.3 单粒子烧毁效应 | 第19-23页 |
1.3.1 空间辐射环境 | 第19-20页 |
1.3.2 单粒子烧毁原理 | 第20-21页 |
1.3.3 单粒子烧毁国内外研究现状 | 第21-23页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第23-26页 |
第2章 功率UMOSFET与单粒子烧毁效应基础 | 第26-32页 |
2.1 UMOSFET工作原理 | 第26-27页 |
2.2 UMOSFET电学参数 | 第27-29页 |
2.2.1 阈值电压 | 第27页 |
2.2.2 击穿电压 | 第27页 |
2.2.3 导通电阻和饱和漏极电流 | 第27-29页 |
2.3 单粒子烧毁效应模拟 | 第29-31页 |
2.3.1 仿真条件设置 | 第29-30页 |
2.3.2 影响单粒子烧毁因素 | 第30-31页 |
2.3.3 单粒子烧毁加固方法 | 第31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第3章 双沟道分裂栅功率UMOSFET器件研究 | 第32-46页 |
3.1 引言 | 第32-33页 |
3.2 DC SG-RSO UMOS结构特点 | 第33页 |
3.3 器件参数与工艺流程 | 第33-36页 |
3.3.1 器件仿真参数 | 第33-34页 |
3.3.2 工艺流程 | 第34-36页 |
3.4 器件基本特性仿真结果及分析 | 第36-39页 |
3.4.1 击穿特性与输出特性 | 第36-37页 |
3.4.2 栅电荷特性 | 第37-39页 |
3.5 器件SEB特性仿真结果及分析 | 第39-41页 |
3.5.1 粒子入射位置的确定 | 第39-40页 |
3.5.2 单粒子烧毁仿真结果分析 | 第40-41页 |
3.6 分裂栅偏压对DC SG-RSO UMOS电学特性的影响 | 第41-45页 |
3.6.1 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS击穿特性影响 | 第41-43页 |
3.6.2 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS导通特性影响 | 第43-44页 |
3.6.3 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS栅漏电荷特性影响 | 第44-45页 |
3.6.4 分离栅偏压大小对DC SG-RSO UMOS单粒子烧毁特性影响 | 第45页 |
3.7 本章小结 | 第45-46页 |
第4章 集成P柱的分裂栅功率UMOSFET器件研究 | 第46-60页 |
4.1 引言 | 第46-47页 |
4.2 SGP-RSO UMOS结构特点 | 第47页 |
4.3 器件参数与工艺流程 | 第47-50页 |
4.3.1 器件仿真参数 | 第47-48页 |
4.3.2 工艺流程 | 第48-50页 |
4.4 器件基本特性仿真结果及分析 | 第50-53页 |
4.4.1 击穿特性 | 第50页 |
4.4.2 P柱尺寸参数对击穿电压影响 | 第50-53页 |
4.4.3 输出特性与导通电阻 | 第53页 |
4.5 器件SEB特性仿真结果及分析 | 第53-59页 |
4.5.1 仿真条件设置 | 第54页 |
4.5.2 单粒子烧毁效应仿真 | 第54页 |
4.5.3 优化结构的提出 | 第54-58页 |
4.5.4 低温对单粒子烧毁特性的影响 | 第58-59页 |
4.6 本章小结 | 第59-60页 |
第5章 集成肖特基的侧氧功率UMOSFET器件研究 | 第60-68页 |
5.1 sOB UMOS结构特点 | 第60-61页 |
5.2 器件参数与工艺流程 | 第61-63页 |
5.2.1 器件仿真参数 | 第61页 |
5.2.2 工艺流程 | 第61-63页 |
5.3 仿真结果的分析与讨论 | 第63-65页 |
5.3.1 击穿特性与输出特性 | 第63页 |
5.3.2 反向恢复特性 | 第63-65页 |
5.4 器件SEB特性仿真结果及分析 | 第65-66页 |
5.5 肖特基接触参数对反向漏电流影响 | 第66-67页 |
5.5.1 肖特基结宽度变化对反向漏电流影响 | 第66页 |
5.5.2 肖特基结功函数变化对反向漏电流影响 | 第66-67页 |
5.6 本章小结 | 第67-68页 |
结论 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-78页 |
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第78-80页 |
致谢 | 第80页 |