| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-21页 |
| 1.1 氮化钛的基本结构与性质 | 第9-12页 |
| 1.1.1 TiN的基本结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 TiN的基本性质 | 第11页 |
| 1.1.3 TiN薄膜的导电机制 | 第11-12页 |
| 1.2 氮化钛薄膜的应用 | 第12-15页 |
| 1.2.1 氮化钛薄膜的传统应用 | 第12页 |
| 1.2.2 氮化钛薄膜在微电子领域的应用 | 第12-14页 |
| 1.2.3 TiN薄膜在HfO_2基铁电薄膜研究中的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 氮化钛薄膜制备的文献总结 | 第15-19页 |
| 1.3.1 TiN薄膜的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 磁控溅射的工作原理 | 第16-19页 |
| 1.4 关于氮化钛薄膜导电性的文献总结 | 第19-20页 |
| 1.5 本工作的主要研究目标 | 第20-21页 |
| 第二章 TiN薄膜的制备与性能表征 | 第21-36页 |
| 2.1 实验设备简介 | 第21-24页 |
| 2.2 实验材料介绍 | 第24-26页 |
| 2.3 实验设计方法及性能表征 | 第26-36页 |
| 2.3.1 方块电阻测试 | 第26-29页 |
| 2.3.2 膜厚测试 | 第29-31页 |
| 2.3.3 XRD测试 | 第31-33页 |
| 2.3.4 XPS表征 | 第33-34页 |
| 2.3.5 AFM测试 | 第34-35页 |
| 2.3.6 SEM测试 | 第35-36页 |
| 第三章 TiN薄膜基本溅射工艺参数的确定 | 第36-47页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 实验 | 第36-37页 |
| 3.3 TiN薄膜宏观及微观性能的影响因素 | 第37-45页 |
| 3.3.1 溅射电流对薄膜性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.2 总压对薄膜性能的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.3 靶基距对薄膜性能的影响 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 高导电性能的TiN纳米薄膜的制备与表征 | 第47-62页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 实验 | 第47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-61页 |
| 4.3.1 溅射电流对TiN纳米薄膜性能的影响 | 第47-51页 |
| 4.3.2 氩氮比对TiN纳米薄膜性能的影响 | 第51-59页 |
| 4.3.3 基底温度对TiN薄膜性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 超薄厚度TiN薄膜的制备与表征 | 第62-69页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 溅射时间对超薄TiN薄膜性能的影响 | 第62-64页 |
| 5.3 XRR分析 | 第64-65页 |
| 5.4 XPS分析 | 第65-66页 |
| 5.5 AFM分析 | 第66-68页 |
| 5.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |