| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 CMOS图像传感器及空间应用 | 第9页 |
| 1.2 空间辐射环境 | 第9-14页 |
| 1.3 抗辐射CMOS图像传感器的国内外研究概况 | 第14-15页 |
| 1.4 选题的目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的内容安排 | 第16页 |
| 1.6 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 单粒子效应对CMOS图像传感器影响机理及建模仿真 | 第17-30页 |
| 2.1 CMOS图像传感器原理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 CMOS图像传感器架构 | 第17-19页 |
| 2.1.2 单粒子效应影响机理 | 第19-21页 |
| 2.2 辐射环境下图像传感器的建模及仿真 | 第21-29页 |
| 2.2.1 图像传感器辐射效应建模 | 第21-25页 |
| 2.2.2 仿真结果及分析 | 第25-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 时序电路的抗单粒子效应设计加固 | 第30-57页 |
| 3.1 基本设计加固方法 | 第30-32页 |
| 3.2 时序电路的底层加固及验证 | 第32-50页 |
| 3.2.1 底层单元的版图设计 | 第32-35页 |
| 3.2.2 抗辐射锁存器的设计 | 第35-43页 |
| 3.2.3 抗辐射D触发器的设计与验证 | 第43-49页 |
| 3.2.4 时序库及物理库的设计 | 第49-50页 |
| 3.3 时序电路的顶层加固及验证 | 第50-56页 |
| 3.3.1 使能检测单元的设计 | 第50-52页 |
| 3.3.2 使能检测单元的验证 | 第52-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 图像传感器时序电路的实现与验证 | 第57-66页 |
| 4.1 时序电路的设计和验证 | 第57-59页 |
| 4.2 时序电路的自动化实现 | 第59-62页 |
| 4.3 时序电路的后处理 | 第62-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-67页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第66页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 发表论文情况 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |