| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 宽禁带半导体及其应用 | 第9-10页 |
| 1.2 β-Ga_2O_3材料概述 | 第10-11页 |
| 1.3 稀磁半导体 | 第11-13页 |
| 1.4 本文工作 | 第13-14页 |
| 第二章 理论方法与研究方案概述 | 第14-20页 |
| 2.1 第一性原理方法 | 第14页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第14-16页 |
| 2.3 交换关联势 | 第16-17页 |
| 2.4 计算软件包 | 第17-18页 |
| 2.4.1 Visualizer模块 | 第17页 |
| 2.4.2 CASTEP模块 | 第17-18页 |
| 2.5 研究方案 | 第18-20页 |
| 第三章 本征和Zn掺杂β-Ga_2O_3体系的结构与性质研究 | 第20-32页 |
| 3.1 引言 | 第20页 |
| 3.2 β-Ga_2O_3的结构模型与计算方案 | 第20-21页 |
| 3.2.1 β-Ga_2O_3的结构模型 | 第20-21页 |
| 3.2.2 β-Ga_2O_3的计算方案 | 第21页 |
| 3.3 β-Ga_2O_3的晶体结构与电子性质 | 第21-23页 |
| 3.3.1 β-Ga_2O_3的晶格参数与带隙 | 第21-22页 |
| 3.3.2 β-Ga_2O_3的能带结构和态密度 | 第22-23页 |
| 3.4 Zn掺杂β-Ga_2O_3的结构模型与计算方案 | 第23-24页 |
| 3.4.1 Zn掺杂β-Ga_2O_3的结构模型 | 第23-24页 |
| 3.4.2 Zn掺杂β-Ga_2O_3的计算研究方案 | 第24页 |
| 3.5 Zn掺杂β-Ga_2O_3的晶体结构与形成能 | 第24-25页 |
| 3.6 Zn掺杂β-Ga_2O_3的电子性质 | 第25-27页 |
| 3.7 本征β-Ga_2O_3和Zn掺杂β-Ga_2O_3的光学性质 | 第27-31页 |
| 3.8 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 Mg和Li掺杂β-Ga_2O_3体系的结构与性质研究 | 第32-46页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 Mg掺杂β-Ga_2O_3体系的结构模型与计算方案 | 第32-33页 |
| 4.2.1 Mg掺杂β-Ga_2O_3的结构模型 | 第32-33页 |
| 4.2.2 Mg掺杂β-Ga_2O_3的计算研究方案 | 第33页 |
| 4.3 Mg掺杂β-Ga_2O_3的晶体结构与形成能 | 第33-34页 |
| 4.4 Mg-Ga O体系的能带结构与态密度 | 第34-35页 |
| 4.5 Mg-Ga O体系的光学性质 | 第35-39页 |
| 4.6 Li掺杂β-Ga_2O_3的结构模型与计算方案 | 第39页 |
| 4.6.1 Li掺杂β-Ga_2O_3的结构模型 | 第39页 |
| 4.6.2 Li掺杂β-Ga_2O_3的计算研究方案 | 第39页 |
| 4.7 Li掺杂β-Ga_2O_3的晶体结构与形成能 | 第39-40页 |
| 4.8 Li-Ga O体系的能带结构与态密度 | 第40-42页 |
| 4.9 Li-Ga O体系的光学性质 | 第42-45页 |
| 4.10 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录 | 第55页 |
