基于0.18μm CMOS工艺的太赫兹成像芯片研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 论文的研究背景与意义 | 第7-8页 |
| 1.2 研究现状和论文结构安排 | 第8-11页 |
| 1.2.1 研究现状 | 第8-9页 |
| 1.2.2 论文结构安排 | 第9-11页 |
| 第二章 CMOS成像检测器原理 | 第11-24页 |
| 2.1 自混频的基本原理 | 第11-16页 |
| 2.1.1 阻性自混频的基本原理 | 第11-13页 |
| 2.1.2 分布式阻性自混频的基本原理 | 第13-15页 |
| 2.1.3 分布式阻性自混频的灵敏度 | 第15-16页 |
| 2.2 太赫兹在片天线设计原理 | 第16-19页 |
| 2.3 运算放大器设计原理 | 第19-24页 |
| 第三章 CMOS成像检测器模块设计 | 第24-38页 |
| 3.1 检测管仿真设计 | 第24-34页 |
| 3.2 在片天线仿真设计 | 第34-36页 |
| 3.3 算放大器仿真设计 | 第36-38页 |
| 第四章 CMOS成像检测器阵列设计 | 第38-42页 |
| 4.1 单像素检测器设计 | 第38-40页 |
| 4.2 检测器阵列设计 | 第40-42页 |
| 第五章 CMOS成像检测器测试 | 第42-53页 |
| 5.1 检测管测试 | 第42-51页 |
| 5.2 运算放大器测试 | 第51-53页 |
| 第六章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 作者简介 | 第59页 |
