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SRAM电路抗工艺变化的关键技术研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第8-14页
    1.1 研究背景与意义第8-11页
    1.2 国内外研究现状第11-12页
    1.3 本文的主要工作第12-13页
    1.4 论文的结构第13-14页
第2章 常用的复制位线延迟技术以及灵敏放大器电路分析第14-30页
    2.1 SRAM整体框架结构第14-15页
    2.2 SRAM工作原理第15-16页
        2.2.1 SRAM写操作第15-16页
        2.2.2 SRAM读操作第16页
        2.2.3 SRAM保持操作第16页
    2.3 反相器链技术第16-17页
    2.4 传统复制位线技术第17-18页
    2.5 多级复制位线技术第18-21页
        2.5.1 多级复制位线原理框图第18-19页
        2.5.2 多级复制位线结构的电路图以及工作原理第19-21页
    2.6 数字复制位线技术第21-23页
        2.6.1 数字复制位线技术原理的理论分析第21-22页
        2.6.2 数字复制位线延迟技术电路工作原理图第22-23页
    2.7 电流镜型灵敏放大器电路分析第23-24页
    2.8 交叉耦合型灵敏放大器原理分析第24-25页
    2.9 传统电压型灵敏放大器电路结构及原理分析第25-27页
        2.9.1 传统电压型灵敏放大器的电路结构第25-26页
        2.9.2 传统电压型灵敏放大器原理分析第26-27页
    2.10 电流型灵敏放大器结构及原理分析第27-28页
        2.10.1 电流型灵敏放大器结构分析第27页
        2.10.2 电流型灵敏放大器原理分析第27-28页
    2.11 本章小结第28-30页
第3章 带有触发器的流水型复制位线电路设计第30-38页
    3.1 PRBLT原理分析第30-31页
    3.2 PRBLT电路图第31-32页
    3.3 PRBLT每个模块内部结构以及工作方式第32-35页
    3.4 PRBLT整个工作流程第35页
    3.5 仿真结果以及分析第35-37页
    3.6 本章小结第37-38页
第4章 自反馈衬底调节的抗工艺变化灵敏放大器设计第38-54页
    4.1 自反馈衬底调节的抗工艺变化灵敏放大器设计第38-39页
    4.2 灵敏放大器失调电压分析第39-43页
    4.3 自反馈衬底调节的抗工艺变化灵敏放大器的电路结构第43-47页
    4.4 自反馈衬底调节的抗工艺变化灵敏放大器的电路原理分析第47-48页
    4.5 自反馈衬底调节的抗工艺变化灵敏放大器电路仿真结果第48-52页
    4.6 本章小结第52-54页
第5章 总结与展望第54-56页
    5.1 设计总结第54页
    5.2 工作展望第54-56页
图表目录第56-58页
参考文献第58-61页
致谢第61页

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