铁磁构件磁记忆检测方法研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 磁记忆检测方法概述 | 第9-11页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 课题的提出与研究意义 | 第14页 |
| 1.5 论文内容与章节安排 | 第14-16页 |
| 第二章 磁记忆检测方法原理及应用分析 | 第16-28页 |
| 2.1 磁记忆效应产生机理 | 第16-17页 |
| 2.1.1 自发磁化和磁畴 | 第16-17页 |
| 2.1.2 磁机械效应 | 第17页 |
| 2.1.3 磁记忆检测基本原理 | 第17页 |
| 2.2 磁偶极子模型的建立 | 第17-21页 |
| 2.2.1 磁场分布 | 第18页 |
| 2.2.2 磁偶极子模型 | 第18-20页 |
| 2.2.3 缺陷磁记忆信号的特征 | 第20-21页 |
| 2.3 提离值和缺陷参数对磁信号的影响 | 第21-27页 |
| 2.3.1 提离值对磁记忆信号影响 | 第21-23页 |
| 2.3.2 缺陷深度对磁记忆信号的影响 | 第23-26页 |
| 2.3.3 缺陷宽度对磁记忆信号的影响 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 多提离值检测方法 | 第28-42页 |
| 3.1 问题的提出 | 第28-32页 |
| 3.1.1 实验试件及实验仪器 | 第28-29页 |
| 3.1.2 实验步骤 | 第29-30页 |
| 3.1.3 实验结果分析 | 第30-32页 |
| 3.2 提离值对缺陷漏磁场和感应磁场的影响特点 | 第32-36页 |
| 3.2.1 感应磁场随提离值变化特点 | 第32-34页 |
| 3.2.2 缺陷漏磁场随提离值变化特点 | 第34-36页 |
| 3.3 多提离值检测方法及信号处理 | 第36-37页 |
| 3.4 实验验证 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 磁记忆检测仪器设计 | 第42-58页 |
| 4.1 磁记忆检测仪器组成和各部分功能 | 第42-43页 |
| 4.2 磁探头系统 | 第43-49页 |
| 4.2.1 磁传感器选择 | 第43-46页 |
| 4.2.2 置位复位电源电路 | 第46页 |
| 4.2.3 置位复位控制电路 | 第46-47页 |
| 4.2.4 信号调理电路 | 第47-48页 |
| 4.2.5 放大电源电路 | 第48页 |
| 4.2.6 电路图 | 第48-49页 |
| 4.3 位移传感系统 | 第49-50页 |
| 4.4 核心板系统 | 第50-55页 |
| 4.4.1 GPIO模块 | 第51-52页 |
| 4.4.2 外部中断模块 | 第52页 |
| 4.4.3 AD转换和DMA模块 | 第52-53页 |
| 4.4.4 串口模块 | 第53页 |
| 4.4.5 主函数模块 | 第53-55页 |
| 4.5 PC机系统 | 第55-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 调试与实验 | 第58-67页 |
| 5.1 下载与调试 | 第58-62页 |
| 5.2 实验 | 第62-64页 |
| 5.3 改进分析 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 全文总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
