| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 文献综述 | 第11-33页 |
| 1.1 半导体光催化制氢简介 | 第11-18页 |
| 1.1.1 半导体光催化制氢反应原理 | 第11-12页 |
| 1.1.2 半导体光催化制氢反应历程 | 第12-13页 |
| 1.1.3 影响光催化剂制氢性能的因素 | 第13-16页 |
| 1.1.4 光催化制氢材料 | 第16-18页 |
| 1.2 纳米CdS光催化剂的结构及其制备 | 第18-23页 |
| 1.2.1 纳米CdS光催化剂的结构 | 第18-19页 |
| 1.2.2 纳米CdS光催化剂的制备 | 第19-23页 |
| 1.3 提高CdS光催化剂制氢性能的方法 | 第23-32页 |
| 1.3.1 与宽禁带半导体复合 | 第23-24页 |
| 1.3.2 负载硫化物 | 第24-26页 |
| 1.3.3 与无机介孔材料组装 | 第26-28页 |
| 1.3.4 与有机高分子基体材料复合 | 第28页 |
| 1.3.5 嵌入层状化合物 | 第28-29页 |
| 1.3.6 开发新型光催化剂 | 第29页 |
| 1.3.7 担载助催化剂 | 第29-31页 |
| 1.3.8 在制氢反应体系中加入牺牲剂 | 第31-32页 |
| 1.4 选题目的及依据 | 第32-33页 |
| 2 实验部分 | 第33-43页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第33-34页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第33-34页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第34页 |
| 2.2 光催化剂的制备 | 第34-40页 |
| 2.2.1 水热法制备CdS | 第34-36页 |
| 2.2.2 Pt/CdS的制备 | 第36-37页 |
| 2.2.3 g-C_3N_4的制备 | 第37-38页 |
| 2.2.4 CdS-g-C_3N_4-Pt复合光催化剂的制备 | 第38-40页 |
| 2.3 光催化剂的表征 | 第40-41页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第40页 |
| 2.3.2 透射电镜(TEM) | 第40-41页 |
| 2.3.3 紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-vis) | 第41页 |
| 2.4 光催化制氢反应 | 第41-43页 |
| 2.4.1 光催化制氢实验装置 | 第41页 |
| 2.4.2 光催化制氢性能的研究 | 第41-43页 |
| 3 水热法制备CdS的表征及光催化制氢性能研究 | 第43-54页 |
| 3.1 表征结果 | 第43-48页 |
| 3.1.1 XRD | 第43-45页 |
| 3.1.2 UV-vis | 第45-46页 |
| 3.1.3 TEM | 第46-48页 |
| 3.2 光催化制氢性能研究 | 第48-52页 |
| 3.2.1 Pt的担载方法对光催化制氢性能的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.2 水热温度对光催化制氢性能的影响 | 第49-50页 |
| 3.2.3 水热时间对光催化制氢性能的影响 | 第50-51页 |
| 3.2.4 硫源对光催化制氢性能的影响 | 第51-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 CdS-g-C_3N_4-Pt催化剂的表征及光催化制氢性能研究 | 第54-63页 |
| 4.1 表征结果 | 第54-57页 |
| 4.1.1 XRD | 第54-55页 |
| 4.1.2 UV-vis | 第55-56页 |
| 4.1.3 TEM | 第56-57页 |
| 4.2 光催化制氢性能研究 | 第57-62页 |
| 4.2.1 Pt的担载位置对光催化制氢性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.2.2 煅烧温度对光催化制氢性能的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.3 g-C_3N_4与CdS的质量比对光催化制氢性能的影响 | 第60页 |
| 4.2.4 物料添加顺序对光催化制氢性能的影响 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 5 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
