| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 存储器简介 | 第10-14页 |
| 1.2.1 挥发性存储器 | 第11页 |
| 1.2.2 非挥发性存储器 | 第11-14页 |
| 1.3 阻变存储器（RRAM） | 第14-20页 |
| 1.3.1 阻变存储器件与存储效应简介 | 第14-16页 |
| 1.3.2 阻变存储器件性能参数 | 第16-17页 |
| 1.3.3 阻变存储器件机理研究 | 第17-18页 |
| 1.3.4 阻变存储器件研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文研究内容及研究意义 | 第20-22页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.4.2 研究意义 | 第21-22页 |
| 第二章 阻变存储器件的制备与测试表征 | 第22-28页 |
| 2.1 阻变存储器件制备设备 | 第22-23页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第22-23页 |
| 2.1.2 电子束蒸发 | 第23页 |
| 2.2 薄膜材料表征与器件测试系统 | 第23-27页 |
| 2.2.1 原子力显微镜（AFM） | 第23-24页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） | 第24-25页 |
| 2.2.3 场发射扫描电镜（FESEM） | 第25页 |
| 2.2.4 半导体参数分析仪 | 第25-26页 |
| 2.2.5 探针台 | 第26-27页 |
| 2.2.6 光学椭偏仪 | 第27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于氧化铪不同顶电极阻变特性及机理研究 | 第28-40页 |
| 3.1 器件制备工艺及薄膜表征 | 第28-32页 |
| 3.2 HfO_2/TiN不同上电极阻变器件研究 | 第32-39页 |
| 3.2.1 器件电学性能测试 | 第32-35页 |
| 3.2.2 器件阻变机理研究 | 第35-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 基于氧化铪叠层结构阻变特性及机理的研究 | 第40-58页 |
| 4.1 HfO_x/HfO_2叠层结构阻变器件高一致性特性研究 | 第40-51页 |
| 4.1.1 氧化铪薄膜材料的制备与表征 | 第40-43页 |
| 4.1.2 HfO_x/HfO_2叠层结构阻变器件的制备 | 第43-44页 |
| 4.1.3 HfO_x/HfO_2叠层结构阻变器件电学性能测试 | 第44-48页 |
| 4.1.4 HfO_x/HfO_2叠层结构阻变器件阻变机理的研究 | 第48-50页 |
| 4.1.5 HfO_x/HfO_2叠层结构阻变器件阻变模型 | 第50-51页 |
| 4.2 HfO_2/BN叠层结构阻变器件低功耗一致性研究 | 第51-56页 |
| 4.2.1 HfO_2、BN薄膜测试表征 | 第51-52页 |
| 4.2.2 HfO_2/BN叠层结构阻变器件制备 | 第52-53页 |
| 4.2.3 HfO_2/BN叠层结构阻变器件电学测试 | 第53-55页 |
| 4.2.4 不同厚度BN插入层对器件功耗的影响 | 第55页 |
| 4.2.5 HfO_2/BN叠层结构阻变器件机理及阻变模型的构建 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 全文总结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
