| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| 1．1 高频照明技术与电子镇流器 | 第6-10页 |
| 1．1．1 高频照明原理与特点 | 第7-8页 |
| 1．1．2 高频镇流器类型及发展方向 | 第8-10页 |
| 1．2 高压集成电路的设计 | 第10-13页 |
| 1．2．1 高压电路设计的考虑 | 第11-12页 |
| 1．2．2 高压电路设计手段 | 第12-13页 |
| 第二章 电子镇流器驱动芯片IR2155的特点及运用 | 第13-20页 |
| 2．1 IR2155介绍 | 第13-17页 |
| 2．2 IR2155的应用 | 第17-20页 |
| 第三章 IR2155内部电路分析 | 第20-41页 |
| 3．1 单元电路分析 | 第20-37页 |
| 3．1．1 低端偏置电路 | 第20-22页 |
| 3．1．2 振荡电路 | 第22-26页 |
| 3．1．3 死区时间控制电路 | 第26-28页 |
| 3．1．4 欠压检测电路 | 第28-31页 |
| 3．1．5 低端延迟和低端输出电路 | 第31-32页 |
| 3．1．6 脉冲产生电路 | 第32-34页 |
| 3．1．7 高电平位移及脉冲滤波电路 | 第34-35页 |
| 3．1．8 RS发器及高端输出电路 | 第35-37页 |
| 3．2 整体电路分析 | 第37-41页 |
| 3．2．1 低端整体电路分析 | 第37-38页 |
| 3．3．2 高端整体电路分析 | 第38页 |
| 3．3．3 高低端整体电路分析 | 第38-41页 |
| 第四章 IR2155的工艺步骤及元器件结构 | 第41-46页 |
| 4．1 IR2155的工艺步骤 | 第41-43页 |
| 4．1．1 高压集成电路的一般工艺步骤 | 第41-42页 |
| 4．1．2 IR2155的工艺步骤分析 | 第42-43页 |
| 4．2 IR2155的元器件结构 | 第43-46页 |
| 4．2．1 电阻 | 第43-44页 |
| 4．2．2 电容 | 第44页 |
| 4．2．3 稳压二极管 | 第44-45页 |
| 4．2．4 MOS管 | 第45-46页 |
| 第五章 耐高压器件及结构分析 | 第46-68页 |
| 5．1 二维器件模拟软件MEDICI介绍 | 第46-51页 |
| 5．1．1 器件模拟的作用 | 第46-47页 |
| 5．1．2 基本方程离散化及求解 | 第47-49页 |
| 5．1．3 器件模拟软件Medici的主要特征 | 第49-51页 |
| 5．2 横向高压器件LDMOS | 第51-57页 |
| 5．2．1 场限环（FLR）技术 | 第51-53页 |
| 5．2．2 场板（FP）技术 | 第53-54页 |
| 5．2．3 RESURF技术 | 第54-55页 |
| 5．2．4 LDMOS | 第55-57页 |
| 5．3 LDMOS高压模拟 | 第57-68页 |
| 第六章 IR2155的版图编辑和验证 | 第68-82页 |
| 6．1 IR2155版图编辑 | 第69-70页 |
| 6．2 IR2155版图验证 | 第70-82页 |
| 6．2．1 验证工具DIVA介绍 | 第70页 |
| 6．2．2 设计规则检查（DRC） | 第70-74页 |
| 6．2．3 器件提取 | 第74-79页 |
| 6．2．4 版图的电学验证 | 第79-82页 |
| 总结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 致谢 | 第86页 |