| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-41页 |
| ·陶瓷装甲材料的发展和研究概况 | 第13-16页 |
| ·氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 纳米复相材料及其研究概况 | 第16-21页 |
| ·氧化铝陶瓷材料 | 第16-18页 |
| ·Al_2O_3/SiC 纳米复相陶瓷材料 | 第18-20页 |
| ·碳化硅陶瓷材料 | 第20-21页 |
| ·陶瓷材料准静态压痕的裂纹类型与塑性变形区域 | 第21-25页 |
| ·陶瓷材料准静态压痕的裂纹类型 | 第21-23页 |
| ·陶瓷材料准静态压痕的塑性变形区域 | 第23-24页 |
| ·压痕模型 | 第24-25页 |
| ·陶瓷材料高应变率形变测试技术发展与研究概况 | 第25-29页 |
| ·侵彻深度测试技术 | 第26-27页 |
| ·盘撞击测试技术 | 第27页 |
| ·动态压痕测试技术 | 第27-28页 |
| ·分离式霍普金森压杆测试技术 | 第28页 |
| ·泰勒撞击实验 | 第28-29页 |
| ·陶瓷材料残余应力与塑性变形程度测试 | 第29-35页 |
| ·X 射线衍射法 | 第29-30页 |
| ·中子衍射法 | 第30-31页 |
| ·荧光光谱法 | 第31-33页 |
| ·拉曼光谱法 | 第33-35页 |
| ·分离式霍普金森压杆实验技术的发展与研究概况 | 第35-38页 |
| ·分离式霍普金森压杆实验技术的发展和研究现状 | 第35-37页 |
| ·分离式霍普金森压杆实验技术的应用 | 第37-38页 |
| ·本文的研究目的、意义及主要研究内容 | 第38-41页 |
| ·研究目的和意义 | 第38-39页 |
| ·主要研究内容 | 第39-41页 |
| 第二章 氧化铝、碳化硅及 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷材料制备和性能 | 第41-56页 |
| ·氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷的制备 | 第41-45页 |
| ·实验原料与试样种类 | 第41-42页 |
| ·陶瓷试样制备工艺流程 | 第42-45页 |
| ·氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷的显微结构 | 第45-49页 |
| ·试样的切割、磨平与抛光 | 第45-47页 |
| ·晶粒尺寸 | 第47-49页 |
| ·氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 的性能测试 | 第49-54页 |
| ·体积密度 | 第49-50页 |
| ·弯曲强度 | 第50-51页 |
| ·杨氏模量 | 第51-52页 |
| ·维氏硬度 | 第52-53页 |
| ·断裂韧性 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 高速子弹冲击实验装置设计与陶瓷靶材测试 | 第56-73页 |
| ·陶瓷靶材与碳化钨子弹的制备与检测 | 第56-60页 |
| ·陶瓷靶材的制备 | 第56-57页 |
| ·碳化钨子弹的制备与检测 | 第57-60页 |
| ·高速子弹冲击实验装置与冲击力测试设备的设置 | 第60-63页 |
| ·实验装置设计与装配 | 第60-61页 |
| ·子弹冲击力测试装置 | 第61-63页 |
| ·陶瓷靶材击打过程的高速照相记录和受力情况对比 | 第63-71页 |
| ·氧化铝陶瓷冲击实验 | 第63-65页 |
| ·Al_2O_3/SiC 纳米复相陶瓷冲击实验 | 第65-68页 |
| ·碳化硅陶瓷冲击实验 | 第68-70页 |
| ·靶材厚度对陶瓷靶材冲击力的影响 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第四章 高速子弹冲击陶瓷靶材的表面弹坑形貌与应力应变研究 | 第73-102页 |
| ·陶瓷靶材表面弹坑的光学显微形貌与 3D 扫描 | 第73-85页 |
| ·氧化铝陶瓷 | 第75-77页 |
| ·Al_2O_3/SiC 复相陶瓷 | 第77-80页 |
| ·碳化硅陶瓷 | 第80-82页 |
| ·B4C/Al8B4C7复相陶瓷 | 第82-85页 |
| ·Cr~(3+)荧光/SiC 拉曼光谱测试前期工作 | 第85-92页 |
| ·峰拟合方法分析 | 第86-88页 |
| ·Z 轴分辨率测试 | 第88-90页 |
| ·氧化铝和碳化硅的压谱系数计算 | 第90-91页 |
| ·Cr~(3+)荧光/SiC 拉曼光谱参考值计算 | 第91-92页 |
| ·靶材试样残余应力和塑性变形分布情况 | 第92-98页 |
| ·氧化铝陶瓷 | 第93-95页 |
| ·Al_2O_3/SiC 复相陶瓷 | 第95-96页 |
| ·碳化硅陶瓷 | 第96-98页 |
| ·靶材表面弹坑微观结构分析 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 高速子弹冲击陶瓷靶材的弹坑剖面裂纹特征与应力应变研究 | 第102-121页 |
| ·陶瓷靶材剖面裂纹类型与 SEM 显微形貌分析 | 第102-109页 |
| ·剖面试样的制备 | 第102-103页 |
| ·氧化铝陶瓷靶材剖面的裂纹类型与 SEM 显微形貌 | 第103-104页 |
| ·Al_2O_3/SiC 复相陶瓷靶材剖面的裂纹类型与 SEM 显微形貌 | 第104-107页 |
| ·碳化硅陶瓷靶材剖面的裂纹类型与 SEM 显微形貌 | 第107-109页 |
| ·陶瓷靶材剖面残余应力与塑性变形分布情况研究 | 第109-114页 |
| ·氧化铝陶瓷 | 第109-111页 |
| ·Al_2O_3/SiC 复相陶瓷 | 第111-113页 |
| ·碳化硅陶瓷 | 第113-114页 |
| ·陶瓷靶材弹性区域（非塑性区）的 Yoffe’s 模型模拟分析 | 第114-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 第六章 陶瓷材料准静态压痕的显微结构与应力应变研究 | 第121-142页 |
| ·陶瓷材料的准静态子弹压痕实验 | 第121-123页 |
| ·准静态子弹压痕实验准备工作 | 第121-122页 |
| ·准静态子弹压痕实验的压力位移曲线分析 | 第122-123页 |
| ·陶瓷材料准静态子弹压痕表面形貌与应力应变分析对比 | 第123-133页 |
| ·氧化铝陶瓷 | 第123-127页 |
| ·Al_2O_3/SiC 复相陶瓷 | 第127-130页 |
| ·碳化硅陶瓷 | 第130-133页 |
| ·准静态子弹压痕剖面形貌与应力应变分析对比 | 第133-137页 |
| ·氧化铝陶瓷 | 第133-135页 |
| ·Al_2O_3/SiC 复相陶瓷 | 第135-136页 |
| ·碳化硅陶瓷 | 第136-137页 |
| ·不同应变速率下碳化钨子弹的形变分析 | 第137-140页 |
| ·陶瓷试样应力应变与材料结构性能的关系 | 第140-141页 |
| ·本章小结 | 第141-142页 |
| 第七章 陶瓷材料的分离式霍普金森压杆压缩强度性能研究 | 第142-173页 |
| ·陶瓷材料的分离式霍普金森压杆实验前提条件与原理 | 第142-149页 |
| ·分离式霍普金森压杆技术原理简介 | 第142-144页 |
| ·试样的应力平衡 | 第144-146页 |
| ·霍普金森长杆的设计原理 | 第146-147页 |
| ·入射波整形理论 | 第147-149页 |
| ·陶瓷试样的设计原则以及端面摩擦效应 | 第149-153页 |
| ·试样的设计与制备 | 第149-152页 |
| ·试样端面的摩擦效应 | 第152-153页 |
| ·分离式霍普金森压杆实验装置 | 第153-157页 |
| ·分离式霍普金森压杆实验的测试条件优化选择 | 第157-164页 |
| ·入射波整形器的选择 | 第157-159页 |
| ·“试样整形”技术的影响 | 第159-160页 |
| ·陶瓷试样接触端面表面质量的影响 | 第160-161页 |
| ·碳化钨垫块形状的选择 | 第161-162页 |
| ·哑铃状试样测试 | 第162-164页 |
| ·氧化铝、碳化硅与 Al_2O_3/SiC 复相陶瓷的 SHPB 测试 | 第164-168页 |
| ·氧化铝陶瓷 | 第164-165页 |
| ·Al_2O_3/SiC 复相陶瓷 | 第165-166页 |
| ·碳化硅陶瓷 | 第166-167页 |
| ·SHPB 测试后碳化钨垫块的端面平面度 | 第167-168页 |
| ·陶瓷材料 SHPB 高应变率形变过程中的失效机理 | 第168-172页 |
| ·本章小结 | 第172-173页 |
| 第八章 结论 | 第173-175页 |
| 创新点 | 第175-176页 |
| 致谢 | 第176-178页 |
| 参考文献 | 第178-188页 |
| 附录 | 第188-189页 |
