摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-10页 |
第一章 绪论 | 第10-17页 |
·引言 | 第10-11页 |
·PZT 热释电厚膜 | 第11页 |
·PZT 热释电厚膜制备现状 | 第11-13页 |
·丝网印刷技术 | 第12页 |
·新型溶胶-凝胶(Sol-gel)法 | 第12-13页 |
·电泳沉积法 | 第13页 |
·热释电红外探测器 | 第13-14页 |
·热释电红外探测器的发展现状 | 第14-15页 |
·本课题的主要研究内容 | 第15-17页 |
第二章 实验理论基础与测试方法 | 第17-25页 |
·电泳沉积 | 第17页 |
·微细加工技术 | 第17-20页 |
·微观结构分析手段 | 第20-22页 |
·光学显微系统 | 第20页 |
·表面轮廓仪 | 第20-21页 |
·扫描电子显微镜 | 第21-22页 |
·X 射线衍射仪 | 第22页 |
·电性能分析 | 第22-25页 |
·介电性能分析 | 第22-23页 |
·热释电性能分析 | 第23-25页 |
第三章 实验各项工艺研究 | 第25-40页 |
·PZT 厚膜的制备工艺研究 | 第25-27页 |
·TIOX扩散阻挡层的制备工艺研究 | 第27-33页 |
·高温 Pb/Si 互扩散反应 | 第28页 |
·阻挡层 TiO_x薄膜的制备工艺 | 第28页 |
·阻挡层 TiO_x薄膜的 XRD 表征 | 第28-29页 |
·不同厚度 TiO_x阻挡层对 Pb/Si 互扩散的阻挡作用 | 第29-31页 |
·不同厚度 TiO_x阻挡层对器件的热释电和介电性能的影响 | 第31-33页 |
·阻挡层 TiO_x薄膜的研究小结 | 第33页 |
·AZ9260 光刻胶隔离层的工艺研究 | 第33-38页 |
·热释电探测器上电极引出难题 | 第33-34页 |
·隔离层 AZ9260 的制备 | 第34-37页 |
·隔离层 AZ9260 的对器件性能影响 | 第37-38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
第四章 PZT 热释电厚膜探测器的制作与测试 | 第40-57页 |
·PZT 热释电厚膜探测器的制作 | 第40-44页 |
·PZT 热释电线列结构的设计 | 第40-41页 |
·PZT 热释电线列探测器的制作工艺流程 | 第41-44页 |
·湿法腐蚀与干法刻蚀工艺研究 | 第44-49页 |
·湿法 TMAH 腐蚀 | 第44-47页 |
·湿法 KOH 腐蚀 | 第47-48页 |
·干法刻蚀 | 第48-49页 |
·PZT 热释电厚膜线列探测器的性能测试 | 第49-56页 |
·热释电探测器介电性能测试及结果 | 第49-50页 |
·热释电探测器热释电性能测试系统 | 第50-52页 |
·热释电性能测试系统的测试要求 | 第52页 |
·热释电探测器热释电性能测试及结果 | 第52-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第五章 结论 | 第57-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-63页 |
攻读硕士学位期间取的学术成果 | 第63-64页 |