| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·研究的背景和意义 | 第11-13页 |
| ·论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 位错及位错表征 | 第15-27页 |
| ·缺陷与位错 | 第15页 |
| ·位错的起源以及位错的影响 | 第15-16页 |
| ·晶体中的位错起源 | 第15-16页 |
| ·异变外延材料中的位错起源 | 第16页 |
| ·位错的影响 | 第16页 |
| ·位错的分类 | 第16-19页 |
| ·刃型位错 | 第17页 |
| ·螺型位错 | 第17-18页 |
| ·混合位错 | 第18-19页 |
| ·位错的表征技术 | 第19-25页 |
| ·透射电子显微镜技术(TEM) | 第19-21页 |
| ·湿法化学腐蚀法 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第22-23页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 InP/GaAs异变外延片的位错特性的研究 | 第27-47页 |
| ·InP/GaAs异变外延片湿法化学腐蚀法的研究 | 第27-28页 |
| ·湿法化学腐蚀法的研究背景 | 第27页 |
| ·本实验位错特性的研究步骤 | 第27-28页 |
| ·腐蚀实验的操作步骤 | 第28-31页 |
| ·腐蚀方法的准备 | 第28-29页 |
| ·腐蚀平台的搭建 | 第29-31页 |
| ·影响InP单晶腐蚀坑显示的因素 | 第31-35页 |
| ·搅拌与未搅拌 | 第31-32页 |
| ·腐蚀液组分 | 第32-33页 |
| ·腐蚀温度 | 第33-34页 |
| ·腐蚀时间 | 第34-35页 |
| ·InP单晶腐蚀方法小结 | 第35页 |
| ·InP/GaAs异变外延片的位错特性的研究 | 第35-46页 |
| ·InP/GaAs异变外延片结构 | 第35-36页 |
| ·InP单晶腐蚀方法的指导意义 | 第36-37页 |
| ·腐蚀速率的测定 | 第37-39页 |
| ·缩短HBr溶液腐蚀时间的结果 | 第39-40页 |
| ·稀释了的HBr溶液的腐蚀结果 | 第40-41页 |
| ·Huber溶液的腐蚀结果 | 第41-42页 |
| ·去除样品表面氧化层后Huber溶液的腐蚀结果 | 第42-43页 |
| ·不同的HBr与H_3PO_4的配比对腐蚀结果的影响 | 第43页 |
| ·腐蚀深度对腐蚀结果的影响 | 第43-45页 |
| ·外延片的腐蚀方法和实验结果小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 GaAs/Si异变外延片的位错特性的研究 | 第47-58页 |
| ·GaAs/Si异变外延片湿法化学腐蚀法的研究 | 第47-48页 |
| ·湿法化学腐蚀法的研究背景 | 第47页 |
| ·本实验位错特性的研究步骤 | 第47-48页 |
| ·GaAs单晶衬底腐蚀坑的显示 | 第48-49页 |
| ·腐蚀实验的操作步骤 | 第49-52页 |
| ·腐蚀方法的准备 | 第49-50页 |
| ·腐蚀平台的搭建 | 第50-52页 |
| ·腐蚀流程 | 第52页 |
| ·GaAs/Si异变外延片的位错特性的研究 | 第52-57页 |
| ·GaAs/Si异变外延片结构 | 第52-53页 |
| ·腐蚀速率的测定 | 第53-54页 |
| ·腐蚀液的温度对腐蚀坑显示的影响 | 第54-55页 |
| ·腐蚀深度对腐蚀坑显示的影响 | 第55页 |
| ·外延片的腐蚀方法和实验结果小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的论文题目 | 第61页 |