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两类有机半导体材料的N-、P-型掺杂研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
主要符号说明第8-10页
目录第10-12页
第一章 绪论第12-31页
   ·有机电致发光的发展第12-14页
   ·有机电致发光器件的结构与发光机理第14-19页
     ·有机电致发光器件的结构第14-18页
     ·有机电致发光器件的发光机理第18-19页
   ·有机电致器件的载流子传输机理第19-26页
     ·载流子注入第20-21页
     ·载流子传输第21-25页
     ·表征有机电致器件电学性能的重要参数第25-26页
   ·空穴传输层的P型掺杂研究进展第26-28页
   ·电子传输层的N型掺杂研究进展第28-29页
   ·本论文的研究目的及内容第29-31页
第二章 基于掺杂载流子传输层的有机单载流子器件的制备第31-38页
   ·实验材料和仪器第31-33页
     ·器件制备所需材料及相关参数第31-32页
     ·实验仪器名称、型号第32-33页
   ·器件的结构设计第33-34页
   ·器件的制备工艺第34-36页
     ·导电玻璃预处理第34-35页
     ·真空蒸镀第35-36页
   ·X射线光电子能谱的测定与分析方法第36-37页
   ·本章小结第37-38页
第三章 基于P型掺杂的有机单空穴器件的性能第38-54页
   ·基于NPB的单空穴器件的电学性能研究第38-39页
   ·不同过渡金属化合物掺杂双极传输材料CBP的电学性能研究第39-52页
     ·FeCl_3:CBP的单空穴器件的电学性能第39-44页
     ·MoO_3:CBP的单空穴器件的电学性能第44-48页
     ·WO_3:CBP的单空穴器件的电学性能第48-50页
     ·FeCl_3、MoO_3及WO_3掺杂的CBP与NPB空穴传输性能的比较研究第50-52页
   ·本章小结第52-54页
第四章 基于N型掺杂的有机单电子器件的性能第54-68页
   ·基于Alq_3的单电子器件的电学性能研究第54-55页
   ·不同碱金属化学物掺杂的电子传输材料的电学性能研究第55-67页
     ·LiF:TPBi的单电子器件的电学性能第55-60页
     ·CsF:BAlq的单电子器件的电学性能第60-62页
     ·LiF:BAlq的单电子器件的电学性能第62-65页
     ·Liq:BAlq的单电子器件的电学性能第65-67页
   ·本章小结第67-68页
第五章 总结与展望第68-70页
参考文献第70-74页
致谢第74-76页
硕士期间发表论文及申请专利第76页

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