立方氮化硼薄膜的相变和光、电性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| ·宽带隙半导体研究 | 第12-18页 |
| ·氮化硼的结构、性质和应用 | 第18-24页 |
| ·氮化硼的异构体 | 第18-20页 |
| ·立方氮化硼(c-BN) | 第20-23页 |
| ·六方氮化硼(h-BN) | 第23-24页 |
| ·c-BN薄膜的研究历史与现状 | 第24-26页 |
| ·c-BN薄膜研究中存在的问题 | 第26-28页 |
| ·成核、生长与相变机理尚无定论 | 第26页 |
| ·高质量薄膜外延生长困难 | 第26-27页 |
| ·薄膜与衬底间粘附性较差 | 第27页 |
| ·薄膜制备的可重复性较低 | 第27-28页 |
| ·本论文的研究内容与思路 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第2章 薄膜样品的制备和表征方法 | 第34-52页 |
| ·薄膜样品的溅射制备 | 第34-44页 |
| ·溅射的基本原理 | 第34-39页 |
| ·溅射镀膜 | 第39-42页 |
| ·溅射系统 | 第42-44页 |
| ·薄膜的结构表征和物理性能测量 | 第44-50页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第44-47页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第47-48页 |
| ·薄膜的形貌观察 | 第48-49页 |
| ·薄膜的光学性能测量 | 第49页 |
| ·薄膜的厚度测量 | 第49-50页 |
| ·薄膜的电学性能测量 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第3章 射频溅射制备c-BN薄膜及其相变研究 | 第52-78页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·BN薄膜沉积过程中的相变理论 | 第53-65页 |
| ·氮化硼的相变 | 第53-61页 |
| ·缺陷对制备c-BN薄膜的影响 | 第61-65页 |
| ·"两步法"溅射制备c-BN薄膜 | 第65-70页 |
| ·实验 | 第65-67页 |
| ·结果与分析 | 第67-70页 |
| ·"三步法"溅射制备c-BN薄膜 | 第70-74页 |
| ·实验 | 第71页 |
| ·结果与分析 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第4章 BN薄膜高温相变的红外光谱研究 | 第78-96页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·BN薄膜的退火诱导相变 | 第78-91页 |
| ·引言 | 第78-80页 |
| ·实验过程 | 第80-83页 |
| ·结果与分析 | 第83-91页 |
| ·退火诱导相变的对比实验 | 第91-93页 |
| ·混合相BN(E-BN)薄膜的退火相变 | 第91-92页 |
| ·BN薄膜的真空退火相变 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第5章 BN薄膜的光学特性研究 | 第96-120页 |
| ·h-BN薄膜的光学性质 | 第96-106页 |
| ·引言 | 第96-98页 |
| ·实验过程 | 第98-100页 |
| ·结果与分析 | 第100-106页 |
| ·BN薄膜光学性质的温度依赖关系 | 第106-116页 |
| ·引言 | 第106-107页 |
| ·实验过程 | 第107-108页 |
| ·结果与分析 | 第108-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-120页 |
| 第6章 BN薄膜的掺杂研究 | 第120-136页 |
| ·离子注入 | 第120-126页 |
| ·半导体掺杂 | 第120-121页 |
| ·半导体离子注入掺杂 | 第121-126页 |
| ·铍注入掺杂BN薄膜的电学特性 | 第126-131页 |
| ·实验 | 第127页 |
| ·注入剂量对BN薄膜电阻率的影响 | 第127-128页 |
| ·退火温度对BN薄膜电阻率的影响 | 第128-130页 |
| ·立方相含量对BN薄膜电阻率的影响 | 第130-131页 |
| ·锌注入掺杂的c-BN薄膜欧姆接触特性 | 第131-135页 |
| ·实验 | 第132-133页 |
| ·结果与分析 | 第133-135页 |
| ·本章小节 | 第135页 |
| 参考文献 | 第135-136页 |
| 结论与展望 | 第136-138页 |
| 研究生在读期间发表的国家发明专利和学术论文 | 第138-140页 |
| 国家发明专利 | 第138页 |
| 学术论文 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140页 |
