| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-33页 |
| ·中子核反应数据测量的意义 | 第12-15页 |
| ·中子引起的核反应 | 第15-28页 |
| ·核反应截面 | 第16-17页 |
| ·角分布和微分截面 | 第17页 |
| ·中子截面的特点 | 第17-18页 |
| ·宏观截面和平均自由程 | 第18-19页 |
| ·核反应过程的三个阶段 | 第19-20页 |
| ·核反应机制的特点及其解释 | 第20-21页 |
| ·中子与物质相互作用的物理过程 | 第21-23页 |
| ·势散射 | 第21页 |
| ·复合核反应 | 第21-23页 |
| ·原子核裂变 | 第23-28页 |
| ·核裂变过程与裂变势垒 | 第24-25页 |
| ·裂变几率 | 第25-26页 |
| ·裂变产物产额 | 第26-27页 |
| ·裂变中子 | 第27-28页 |
| ·兰州大学14 MeV中子核反应数据测量进展与展望 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第二章 14 MeV中子致核反应数据测量原理 | 第33-63页 |
| ·核反应截面数据测量原理 | 第33-46页 |
| ·核反应截面的测量概述 | 第33-34页 |
| ·14 MeV中子活化截面公式 | 第34-35页 |
| ·核反应截面数据的相关修正 | 第35-45页 |
| ·中子通量波动因子 | 第36-37页 |
| ·γ射线测量中的几何修正 | 第37-40页 |
| ·γ射线测量中的级联符合效应修正 | 第40-43页 |
| ·γ射线测量中的自吸收修正 | 第43-45页 |
| ·14 MeV中子核反应截面的相对测量 | 第45-46页 |
| ·裂变产额数据测量原理 | 第46-55页 |
| ·常见的裂变产额测量方法 | 第46-48页 |
| ·裂变产额测量数据的修正 | 第48-51页 |
| ·裂变产额测量中的裂变率测定方法 | 第48-49页 |
| ·裂变率测定中的修正 | 第49-51页 |
| ·标准靶中碎片自吸收修正 | 第49页 |
| ·裂变率测量漏计数修正 | 第49页 |
| ·甄别阈外推修正 | 第49-50页 |
| ·快中子穿透率修正 | 第50-51页 |
| ·裂变产额测量中的能谱测定的相关修正 | 第51-52页 |
| ·铀样品受照射产物γ射线的自吸收修正 | 第51页 |
| ·探测几何条件修正 | 第51页 |
| ·堆垒损失修正 | 第51页 |
| ·标准源低位直接测量修正 | 第51-52页 |
| ·其他的可能修正量 | 第52-53页 |
| ·低能中子影响修正 | 第52-53页 |
| ·铀样品同位素对产额影响的修正 | 第53页 |
| ·裂变产额的计算 | 第53-55页 |
| ·中子注量率的测定 | 第55-57页 |
| ·中子能量的确定 | 第57-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第三章 14 MeV中子核反应数据测量实验安排 | 第63-74页 |
| ·实验的仪器设备 | 第63-68页 |
| ·、14 MeV中子源描述 | 第63-66页 |
| ·14 MeV中子源工作原理 | 第63-64页 |
| ·兰州大学强流中子发生器 | 第64-66页 |
| ·HpGe γ谱仪及其他 | 第66-68页 |
| ·样品的制备与封装 | 第68-70页 |
| ·核反应截面样品的制备与封装 | 第68-69页 |
| ·U-238核裂变产额测量用样品的制备与封装 | 第69-70页 |
| ·样品的照射与后期测量 | 第70-72页 |
| ·核反应截面样品的照射与测定 | 第70-71页 |
| ·核裂变产额测定样品的照射与测定 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第四章 截面测量结果分析与铀-238裂变产额测量 | 第74-101页 |
| ·Os与Br核反应截面核反应数据 | 第74-96页 |
| ·Os与Br核反应截面反应道及各项修正 | 第74-76页 |
| ·、测量结果比对及分析 | 第76-84页 |
| ·14 MeV中子引起的锇的反应截面测量结果比对及分析 | 第76-79页 |
| ·14 MeV中子引起的溴的反应截面测量结果比对及分析 | 第79-84页 |
| ·U-238核裂变产额测量的前期准备 | 第84-96页 |
| ·核裂变产额待分析的数据类总 | 第84-88页 |
| ·反康普顿谱仪和国产γ谱仪的恢复 | 第88-94页 |
| ·14 MeV中子诱发U-238核裂变初步数据 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-101页 |
| 第五章 总结 | 第101-103页 |
| 在学期间的研究成果 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104页 |
