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半导体材料的电沉积制备及其形貌控制研究

中文摘要第1-5页
ABSTRACT第5-11页
第一章 绪论第11-47页
 §1.1 半导体材料简介第11-16页
     ·半导体材料的分类第12页
     ·半导体的晶体结构第12-14页
     ·半导体的光学性质第14-15页
     ·半导体中的杂质和缺陷第15-16页
 §1.2 电沉积半导体材料研究进展第16-30页
     ·研究综述第17-20页
     ·基本原理第20-23页
     ·典型实例第23-30页
 §1.3 离子液体简介第30-37页
     ·离子液体定义第30-32页
     ·离子液体的种类第32-33页
     ·离子液体的物理化学特性第33-35页
     ·离子液体和常用电解液的比较第35页
     ·离子液体的应用第35-37页
 §1.4 本论文的研究意义和研究内容第37-38页
 参考文献第38-47页
第二章 实验中的表征技术及原理第47-57页
 §2.1 引言第47页
 §2.2 X射线衍射法(XRD)第47-49页
 §2.3 透射电子显微镜(TEM)第49-50页
 §2.4 电子衍射法(ED)第50-52页
 §2.5 扫描电子显微镜(SEM)第52-53页
 §2.6 X射线能量色散谱(EDS)第53-54页
 §2.7 光致发光(PL)第54-57页
第三章 离子液体中电沉积形貌可控的Cu_2O薄膜第57-87页
 §3.1 引言第57-58页
 §3.2 电沉积Cu_2O薄膜与表征第58-60页
     ·试剂与仪器第58-59页
     ·实验方法第59页
     ·离子液体对Cu_2O晶体形貌的调控第59-60页
 §3.3 结果与讨论第60-78页
     ·Cu_2O薄膜的XRD表征第60-61页
     ·Cu_2O薄膜的SEM表征第61页
     ·Cu_2O薄膜的TEM表征第61-64页
     ·离子液体对Cu_2O晶体形貌的调控第64-70页
     ·沉积时间对Cu_2O形貌的影响第70-75页
     ·沉积温度对Cu_2O形貌的影响第75-78页
 §3.4 离子液体调控Cu_2O形貌的机理分析第78-79页
 §3.5 离子液体对Cu_2O形貌调控的验证第79-83页
     ·Cu_2O薄膜的XRD表征第79-81页
     ·Cu_2O薄膜的SEM表征第81-83页
 §3.6 本章小结第83页
 参考文献第83-87页
第四章 在ITO导电衬底上电沉积高取向的CuBr第87-103页
 §4.1 引言第87页
 §4.2 电沉积法制备高导向CuBr薄膜第87-90页
     ·试剂与仪器第87-88页
     ·实验方法第88-90页
 §4.3 结果与讨论第90-100页
     ·以CuBr_2水溶液为电解液制备CuBr第90-96页
     ·以Cu(NO_3)_2和KBr混合溶液为电解液制备CuBr第96-100页
 §4.4 本章小结第100页
 参考文献第100-103页
第五章 通过电沉积Cu_2O化学反应转化制备CuBr第103-114页
 §5.1 引言第103页
 §5.2 CuBr薄膜的制备第103-105页
     ·试剂与仪器第103-104页
     ·实验方法第104-105页
 §5.3 结果与讨论第105-112页
     ·实验1所得产物的XRD表征第105页
     ·实验1所得产物的SEM表征第105-106页
     ·实验2所得产物的XRD表征第106-108页
     ·实验2所得产物的SEM表征第108-110页
     ·实验3所得产物的XRD表征第110-111页
     ·实验3所得产物的SEM表征第111-112页
 §5.4 本章小结第112页
 参考文献第112-114页
结论第114-117页
附录Ⅰ 博士期间发表和送审的论文第117-118页
附录Ⅱ 致谢第118-120页

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