| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| ·红外探测器简介 | 第10-12页 |
| ·微测辐射热计中氮化硅薄膜的应用 | 第12-13页 |
| ·微测辐射热计中氮化硅薄膜的研究现状及其重要性 | 第13-14页 |
| ·本论文主要研究内容和重点 | 第14-16页 |
| 第二章 氮化硅薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| ·辉光放电法 | 第16页 |
| ·反应溅射镀膜法 | 第16-17页 |
| ·直接氮化法 | 第17页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第17-18页 |
| ·等离子体增强型化学气相沉积(PECVD) | 第18页 |
| ·本章总结 | 第18-19页 |
| 第三章 氮化硅薄膜的物性测试及结构表征 | 第19-35页 |
| ·氮化硅光学性能研究 | 第19-23页 |
| ·薄膜光学参数测试方法 | 第19-20页 |
| ·椭圆偏振法工作原理 | 第20-22页 |
| ·椭偏模型的选择 | 第22-23页 |
| ·氮化硅残余应力研究 | 第23-26页 |
| ·PECVD 制备氮化硅薄膜应力产生机理 | 第23-25页 |
| ·氮化硅薄膜应力测量方法 | 第25-26页 |
| ·氮化硅薄膜杨氏模量和硬度 | 第26-29页 |
| ·氮化硅薄膜微结构表征 | 第29-34页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第29-30页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第31页 |
| ·傅里叶透射红外光谱（FTIR） | 第31-34页 |
| ·本章总结 | 第34-35页 |
| 第四章 高频PECVD 氮化硅薄膜的性能研究 | 第35-58页 |
| ·PECVD 制备氮化硅薄膜装置简介 | 第35-36页 |
| ·高频PECVD 制备氮化硅薄膜 | 第36-37页 |
| ·高频氮化硅光学性能研究 | 第37-41页 |
| ·椭圆偏振仪对高频氮化硅薄膜的光学性能测量步骤 | 第37页 |
| ·椭圆偏振仪对高频氮化硅薄膜的光学性能测量 | 第37-41页 |
| ·硅烷流量对高频氮化硅薄膜应力的影响 | 第41-42页 |
| ·高频氮化硅薄膜杨氏模量和硬度 | 第42-45页 |
| ·高频氮化硅薄膜的微结构表征 | 第45-57页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第45-46页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第46-48页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第48-50页 |
| ·傅里叶透射红外光谱（FTIR） | 第50-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 第五章 低频PECVD 制备氮化硅薄膜的性能研究 | 第58-70页 |
| ·低频氮化硅薄膜的制备 | 第58页 |
| ·低频氮化硅光学性能研究 | 第58-60页 |
| ·低频氮化硅力学性能研究 | 第60-63页 |
| ·低频PECVD 制备氮化硅薄膜应力测量 | 第60页 |
| ·低频PECVD 制备氮化硅薄膜杨氏模量和硬度测量 | 第60-63页 |
| ·低频氮化硅微结构分析 | 第63-69页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第63页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第63-65页 |
| ·傅里叶透射红外光谱（FTIR） | 第65-69页 |
| ·本章总结 | 第69-70页 |
| 第六章 高频和低频PECVD 制备氮化硅薄膜的性能比较 | 第70-80页 |
| ·高频、低频氮化硅光学性能比较 | 第70-72页 |
| ·高频、低频氮化硅折射率n 比较 | 第70-71页 |
| ·高频、低频氮化硅光学带隙Eg 比较 | 第71-72页 |
| ·高频、低频氮化硅力学性能比较 | 第72-73页 |
| ·高频、低频氮化硅残余应力比较 | 第72-73页 |
| ·高频、低频氮化硅杨氏模量比较 | 第73页 |
| ·高频、低频氮化硅微结构分析与比较 | 第73-78页 |
| ·本章总结 | 第78-80页 |
| 第七章 结论与展望 | 第80-83页 |
| ·结论总结 | 第80-81页 |
| ·发展与展望 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-89页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第89-90页 |