| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·ZnO 晶体结构 | 第9-11页 |
| ·半导体能带理论 | 第11页 |
| ·p-n 结及异质结 | 第11-12页 |
| ·ZnO 缺陷与掺杂 | 第12-14页 |
| ·ZnO 基本性质 | 第14-16页 |
| ·电学性质 | 第14页 |
| ·光学性质 | 第14-15页 |
| ·气敏性质 | 第15页 |
| ·压敏性质 | 第15-16页 |
| ·压电性质 | 第16页 |
| ·ZnO 基紫外光探测器 | 第16-18页 |
| ·光电导型紫外光探测器 | 第16-17页 |
| ·光伏型紫外光探测器 | 第17-18页 |
| ·论文研究意义 | 第18-20页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备方法及表征方法 | 第20-35页 |
| ·磁控溅射法 | 第20-25页 |
| ·溅射理论 | 第20-22页 |
| ·溅射镀膜过程 | 第22-23页 |
| ·溅射方法分类 | 第23页 |
| ·磁控溅射 | 第23-24页 |
| ·射频溅射 | 第24-25页 |
| ·溅射镀膜特点 | 第25页 |
| ·真空蒸发法 | 第25-26页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第26-27页 |
| ·喷雾热分解法 | 第27页 |
| ·表征方法 | 第27-35页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·能谱分析 | 第29-30页 |
| ·紫外可见光透射光谱 | 第30-31页 |
| ·霍尔效应 | 第31-32页 |
| ·荧光光谱 | 第32-33页 |
| ·四探针法 | 第33-35页 |
| 第三章 Ag 掺杂ZnO 薄膜的制备及表征 | 第35-55页 |
| ·溅射镀膜装置 | 第35-36页 |
| ·实验材料及基片预处理 | 第36-37页 |
| ·实验参数及实验过程 | 第37-38页 |
| ·实验参数选择 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·实验结果及分析 | 第38-55页 |
| ·X 射线衍射图谱分析 | 第39-40页 |
| ·表面形貌分析 | 第40-41页 |
| ·紫外可见光透射光谱 | 第41页 |
| ·成分分析 | 第41-43页 |
| ·霍尔效应 | 第43-44页 |
| ·I-V 特性曲线 | 第44-46页 |
| ·紫外光响应特性 | 第46-55页 |
| 第四章 Mg、Ag 共掺杂ZnO 薄膜的制备及表征 | 第55-67页 |
| ·Mg 掺杂ZnO 薄膜的制备及表征 | 第55-57页 |
| ·实验材料 | 第55-56页 |
| ·实验参数 | 第56页 |
| ·实验结果及分析 | 第56-57页 |
| ·Mg、Ag 共掺杂ZnO 薄膜制备参数 | 第57-58页 |
| ·Mg、Ag 共掺杂ZnO 薄膜的表征 | 第58-67页 |
| ·紫外可见光透射光谱 | 第58-60页 |
| ·霍尔效应 | 第60-61页 |
| ·I-V 特性曲线 | 第61页 |
| ·紫外光响应特性 | 第61-65页 |
| ·紫外光探测 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| ·工作总结 | 第67-68页 |
| ·工作展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第74-75页 |