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基于InGaAs/InP多量子阱中电子自旋弛豫的超快全光偏振开关的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
1 绪论第9-15页
   ·光纤通信技术第9-10页
   ·超快脉冲和飞秒光器件第10-11页
   ·光开关第11-13页
   ·本论文的工作及意义第13-15页
2 基于InGaAs/InP 多量子阱的全光偏振开关第15-24页
   ·引言第15-16页
   ·激子特性第16-18页
   ·电子自旋弛豫第18-21页
   ·圆偏二色性和全光偏振开关第21-22页
   ·飞秒泵浦-探测技术与实验平台第22-24页
3 多量子阱材料的参数和结构设计第24-28页
   ·组分参数设计第24-26页
   ·FP 腔结构设计第26-28页
4 瞬态旋转角的研究第28-42页
   ·理论模型第28-31页
   ·相空间填充(PSF)与吸收饱和第31-36页
   ·库仑屏蔽(CS)与吸收饱和第36-38页
   ·KRAMERS-KRONIG 关系第38页
   ·瞬态旋转角第38-42页
5 吸收共振峰的动态漂移第42-52页
   ·理论模型第42页
   ·相空间填充(PSF)与蓝移第42-44页
   ·库仑屏蔽(CS)与红移第44-51页
   ·吸收共振峰的动态漂移第51-52页
6 光开关的改进与未来展望第52-59页
   ·LOTOS 低温生长光开关第52-53页
   ·子带间跃迁(ISBT)的光开关第53-59页
7 结论第59-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-69页
附录1 攻读学位期间发表论文目录第69页

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