摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-15页 |
·光纤通信技术 | 第9-10页 |
·超快脉冲和飞秒光器件 | 第10-11页 |
·光开关 | 第11-13页 |
·本论文的工作及意义 | 第13-15页 |
2 基于InGaAs/InP 多量子阱的全光偏振开关 | 第15-24页 |
·引言 | 第15-16页 |
·激子特性 | 第16-18页 |
·电子自旋弛豫 | 第18-21页 |
·圆偏二色性和全光偏振开关 | 第21-22页 |
·飞秒泵浦-探测技术与实验平台 | 第22-24页 |
3 多量子阱材料的参数和结构设计 | 第24-28页 |
·组分参数设计 | 第24-26页 |
·FP 腔结构设计 | 第26-28页 |
4 瞬态旋转角的研究 | 第28-42页 |
·理论模型 | 第28-31页 |
·相空间填充(PSF)与吸收饱和 | 第31-36页 |
·库仑屏蔽(CS)与吸收饱和 | 第36-38页 |
·KRAMERS-KRONIG 关系 | 第38页 |
·瞬态旋转角 | 第38-42页 |
5 吸收共振峰的动态漂移 | 第42-52页 |
·理论模型 | 第42页 |
·相空间填充(PSF)与蓝移 | 第42-44页 |
·库仑屏蔽(CS)与红移 | 第44-51页 |
·吸收共振峰的动态漂移 | 第51-52页 |
6 光开关的改进与未来展望 | 第52-59页 |
·LOTOS 低温生长光开关 | 第52-53页 |
·子带间跃迁(ISBT)的光开关 | 第53-59页 |
7 结论 | 第59-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-69页 |
附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第69页 |