GaN生长中氮化工艺及GaMnN薄膜生长研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-16页 |
| ·综述 | 第8-9页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第9-12页 |
| ·物理性质 | 第9页 |
| ·电学性质 | 第9-10页 |
| ·光学特性 | 第10-12页 |
| ·GaN的研究历程和现状 | 第12-13页 |
| ·GaN基稀磁半导体研究介绍 | 第13-16页 |
| 2 薄膜生长理论 | 第16-22页 |
| ·薄膜的成核理论 | 第16-19页 |
| ·影响薄膜生长因素 | 第19页 |
| ·外延单晶薄膜生长类型 | 第19-20页 |
| ·岛状生长模式 | 第19-20页 |
| ·层状生长模式 | 第20页 |
| ·混合生长模式 | 第20页 |
| ·小结 | 第20-22页 |
| 3 实验设备与材料分析手段 | 第22-28页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·金属有机化学气相沉积技术(MOCVD) | 第22-23页 |
| ·微波电子回旋共振(ECR)化学气相沉积 | 第23-24页 |
| ·ESPD-U-PEMOCVD的总体结构及特征 | 第24-28页 |
| 4 材料分析方法 | 第28-35页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第28-32页 |
| ·电子衍射原理 | 第28-31页 |
| ·RHEED的特点 | 第31-32页 |
| ·本实验室的RHEED装置 | 第32页 |
| ·原子力显微镜 | 第32-34页 |
| ·X射线衍射 | 第34-35页 |
| 5 GaN氮化生长及缓冲层生长 | 第35-45页 |
| ·氢等离子体清洗及缓冲层生长工艺参数的确定 | 第35页 |
| ·氮化及氮化对缓冲层生长的影响 | 第35-37页 |
| ·氮化温度对 GaN缓冲层生长的影响 | 第37-40页 |
| ·氮气流量对 GaN缓冲层生长的影响 | 第40-41页 |
| ·缓冲层 XRD与原子力分析 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-45页 |
| 6 GaMnN稀磁半导体生长工艺研究初步 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验反应源的选择 | 第45-46页 |
| ·生长工艺 | 第46-48页 |
| ·实验结果分析 | 第48-51页 |
| ·RHEED分析 | 第48-49页 |
| ·原子力分析 | 第49-50页 |
| ·电子探针 | 第50-51页 |
| ·XRD分析 | 第51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第60页 |
