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自旋阀结构的GMR传感器研究

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
第1章 引言第9-26页
   ·磁电子学简介第9-10页
   ·磁电阻效应综述第10-21页
     ·磁电阻效应简史第10页
     ·铁磁金属的各向异性磁电阻效应(AMR)第10-11页
     ·GMR 效应的理论解释第11-15页
     ·几种常见的磁电阻体系第15-19页
     ·GMR 效应的应用第19-21页
   ·GMR 传感器的研究进展与应用前景第21-24页
     ·GMR 传感器与传统磁性传感器的比较第21页
     ·GMR 传感器的研究进展第21-23页
     ·GMR 传感器的应用前景第23-24页
   ·论文研究的目的和意义第24-26页
     ·GMR 自旋阀薄膜材料的制备与性能研究第24-25页
     ·GMR 角度传感器和线性传感器的设计与工艺制作第25页
     ·一个GMR 线性传感器的设计实例——磁栅尺第25-26页
第2章 GMR 自旋阀薄膜的制备与性能研究第26-42页
   ·自旋阀薄膜材料的结构设计第26-28页
     ·顶钉扎自旋阀第27-28页
     ·底钉扎自旋阀第28页
   ·实验装置第28-31页
     ·GMR 自旋阀薄膜的制备第28-29页
     ·磁场下退火处理第29-30页
     ·GMR 性能测试第30-31页
   ·顶钉扎自旋阀的性能第31-34页
     ·自旋阀的磁性能第31-32页
     ·磁电阻性能第32-33页
     ·表面形貌第33页
     ·热稳定性第33-34页
   ·底钉扎自旋阀的性能研究第34-38页
     ·缓冲层对底钉扎自旋阀的影响第34-36页
     ·退火对底钉扎自旋阀性能的改善第36-38页
   ·顶钉扎和底钉扎结构的比较第38-39页
   ·垂直于钉扎场方向的磁场退火对矫顽力的的影响第39-41页
   ·本章的主要结论第41-42页
第3章 GMR 传感器的设计和工艺制作第42-55页
   ·GMR 角度传感器第42-48页
     ·角度传感器的理论分析第42-43页
     ·传感单元的设计第43-45页
     ·工艺制作流程——三步光刻法第45-47页
     ·测试结果及讨论第47-48页
   ·GMR 线性传感器第48-54页
     ·传感单元的设计——惠斯通电桥第48-50页
     ·工艺制作流程——五步光刻法第50-52页
     ·测试结果第52页
     ·线性传感器性能的优化第52-54页
   ·本章的主要结论第54-55页
第4章 一个GMR 线性传感器的设计实例——磁栅尺第55-68页
   ·背景介绍第55-56页
   ·磁栅尺的结构设计第56-58页
     ·磁栅第56-57页
     ·GMR 磁头芯片第57页
     ·信号处理电路第57-58页
   ·GMR 磁头芯片的设计第58-59页
     ·相位相差1/4 周期的两个电桥第58-59页
     ·调零电阻的设计第59页
     ·GMR 磁头芯片的版图第59页
   ·工艺流水及诊断第59-64页
   ·磁栅尺的测试结果与讨论第64-67页
     ·单个磁阻条的磁电阻性能第64页
     ·整个磁栅尺系统的测试结果第64-65页
     ·影响磁栅尺精度的主要因素第65-67页
   ·本章的主要结论第67-68页
第5章 结论第68-70页
   ·论文工作的主要成果和创新点第68-69页
   ·对进一步工作的展望第69-70页
参考文献第70-74页
致谢第74-75页
附录A “三步光刻法”工艺流程卡第75-76页
附录B “五步光刻法”工艺流程卡第76-78页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第78页

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