摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-9页 |
第1章 引言 | 第9-26页 |
·磁电子学简介 | 第9-10页 |
·磁电阻效应综述 | 第10-21页 |
·磁电阻效应简史 | 第10页 |
·铁磁金属的各向异性磁电阻效应(AMR) | 第10-11页 |
·GMR 效应的理论解释 | 第11-15页 |
·几种常见的磁电阻体系 | 第15-19页 |
·GMR 效应的应用 | 第19-21页 |
·GMR 传感器的研究进展与应用前景 | 第21-24页 |
·GMR 传感器与传统磁性传感器的比较 | 第21页 |
·GMR 传感器的研究进展 | 第21-23页 |
·GMR 传感器的应用前景 | 第23-24页 |
·论文研究的目的和意义 | 第24-26页 |
·GMR 自旋阀薄膜材料的制备与性能研究 | 第24-25页 |
·GMR 角度传感器和线性传感器的设计与工艺制作 | 第25页 |
·一个GMR 线性传感器的设计实例——磁栅尺 | 第25-26页 |
第2章 GMR 自旋阀薄膜的制备与性能研究 | 第26-42页 |
·自旋阀薄膜材料的结构设计 | 第26-28页 |
·顶钉扎自旋阀 | 第27-28页 |
·底钉扎自旋阀 | 第28页 |
·实验装置 | 第28-31页 |
·GMR 自旋阀薄膜的制备 | 第28-29页 |
·磁场下退火处理 | 第29-30页 |
·GMR 性能测试 | 第30-31页 |
·顶钉扎自旋阀的性能 | 第31-34页 |
·自旋阀的磁性能 | 第31-32页 |
·磁电阻性能 | 第32-33页 |
·表面形貌 | 第33页 |
·热稳定性 | 第33-34页 |
·底钉扎自旋阀的性能研究 | 第34-38页 |
·缓冲层对底钉扎自旋阀的影响 | 第34-36页 |
·退火对底钉扎自旋阀性能的改善 | 第36-38页 |
·顶钉扎和底钉扎结构的比较 | 第38-39页 |
·垂直于钉扎场方向的磁场退火对矫顽力的的影响 | 第39-41页 |
·本章的主要结论 | 第41-42页 |
第3章 GMR 传感器的设计和工艺制作 | 第42-55页 |
·GMR 角度传感器 | 第42-48页 |
·角度传感器的理论分析 | 第42-43页 |
·传感单元的设计 | 第43-45页 |
·工艺制作流程——三步光刻法 | 第45-47页 |
·测试结果及讨论 | 第47-48页 |
·GMR 线性传感器 | 第48-54页 |
·传感单元的设计——惠斯通电桥 | 第48-50页 |
·工艺制作流程——五步光刻法 | 第50-52页 |
·测试结果 | 第52页 |
·线性传感器性能的优化 | 第52-54页 |
·本章的主要结论 | 第54-55页 |
第4章 一个GMR 线性传感器的设计实例——磁栅尺 | 第55-68页 |
·背景介绍 | 第55-56页 |
·磁栅尺的结构设计 | 第56-58页 |
·磁栅 | 第56-57页 |
·GMR 磁头芯片 | 第57页 |
·信号处理电路 | 第57-58页 |
·GMR 磁头芯片的设计 | 第58-59页 |
·相位相差1/4 周期的两个电桥 | 第58-59页 |
·调零电阻的设计 | 第59页 |
·GMR 磁头芯片的版图 | 第59页 |
·工艺流水及诊断 | 第59-64页 |
·磁栅尺的测试结果与讨论 | 第64-67页 |
·单个磁阻条的磁电阻性能 | 第64页 |
·整个磁栅尺系统的测试结果 | 第64-65页 |
·影响磁栅尺精度的主要因素 | 第65-67页 |
·本章的主要结论 | 第67-68页 |
第5章 结论 | 第68-70页 |
·论文工作的主要成果和创新点 | 第68-69页 |
·对进一步工作的展望 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
附录A “三步光刻法”工艺流程卡 | 第75-76页 |
附录B “五步光刻法”工艺流程卡 | 第76-78页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第78页 |