| 摘要(中文) | 第1-5页 |
| 摘要(英文) | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-30页 |
| 前言 | 第9页 |
| ·光催化技术发展历程 | 第9-22页 |
| ·光催化氧化技术发展背景 | 第9-10页 |
| ·光催化氧化技术的特点 | 第10页 |
| ·半导体多相光催化反应原理 | 第10-12页 |
| ·半导体光催化剂的种类 | 第12-14页 |
| ·影响半导体光催化速率与效率的因素 | 第14-17页 |
| ·光催化技术的应用 | 第17-21页 |
| ·光催化反应装置的类型 | 第21-22页 |
| ·沸石负载型TiO_2催化剂研究进展 | 第22-30页 |
| ·沸石分子筛的结构特点 | 第22-24页 |
| ·沸石负载TiO_2光催化机理 | 第24-25页 |
| ·沸石负载TiO_2方法 | 第25-26页 |
| ·沸石负载半导体研究进展 | 第26-28页 |
| ·存在的问题 | 第28-29页 |
| ·本课题研究的目的和意义 | 第29-30页 |
| 第二章 TiO_2／沸石光催化剂的制备及表征 | 第30-36页 |
| 前言 | 第30页 |
| ·实验药品 | 第30-31页 |
| ·实验仪器 | 第31页 |
| ·催化剂的制备 | 第31-34页 |
| ·载体的预处理 | 第31-32页 |
| ·光催化剂的制备 | 第32-34页 |
| ·催化剂的分析测试手段 | 第34-36页 |
| 第三章 TiO_2／沸石光催化剂性能研究 | 第36-60页 |
| 前言 | 第36页 |
| ·光催化降解实验 | 第36-38页 |
| ·光催化装置 | 第36-37页 |
| ·实验方法 | 第37-38页 |
| ·沸石负载TiO_2光催化剂的结构表征 | 第38-43页 |
| ·光催化剂的X-射线衍射(XRD)分析 | 第38-40页 |
| ·光催化剂的红外光谱(FTIR)分析 | 第40-41页 |
| ·光催化剂的紫外-可见漫反射光谱(DRS)分析 | 第41-43页 |
| ·光催化剂的热重-差热(TGA-DTA)分析 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-58页 |
| ·TiO_2不同负载量对TiO_2／沸石光催化剂性能的影响 | 第44-45页 |
| ·催化剂浓度对脱色率的影响 | 第45页 |
| ·甲基橙溶液初始浓度对脱色率的影响 | 第45-46页 |
| ·煅烧温度对光催化剂性能的影响 | 第46-48页 |
| ·甲基橙溶液pH值对脱色率的影响 | 第48-50页 |
| ·催化剂的重复使用性 | 第50-51页 |
| ·外加H_2O_2对甲基橙脱色率的影响 | 第51-52页 |
| ·光催化降解甲基橙反应动力学方程 | 第52-54页 |
| ·光催化剂对其他有机物的降解 | 第54-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第四章 金属离子掺杂改性光催化剂 | 第60-73页 |
| 前言 | 第60页 |
| ·提高光催化效率的途径 | 第60-63页 |
| ·纳米半导体表面贵金属沉积 | 第60-61页 |
| ·半导体的光敏化 | 第61页 |
| ·半导体复合 | 第61-62页 |
| ·半导体与层状粘土交联 | 第62页 |
| ·过渡金属离子掺杂 | 第62-63页 |
| ·实验步骤 | 第63-64页 |
| ·光催化剂的制备 | 第63页 |
| ·降解实验 | 第63-64页 |
| ·金属离子掺杂改性光催化剂的结构表征 | 第64-65页 |
| ·金属离子掺杂催化剂的X射线衍射(XRD)分析 | 第64-65页 |
| ·金属离子掺杂催化剂的漫反射光谱(DRS)分析 | 第65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-71页 |
| ·铁族元素(Fe~(3+)、Ni~(2+))离子掺杂对光催化性能的影响 | 第66-67页 |
| ·Cr~(3+)离子掺杂对光催化性能的影响 | 第67-68页 |
| ·Cu~(2+)离子掺杂对光催化性能的影响 | 第68页 |
| ·Zn~(2+)离子掺杂对光催化性能的影响 | 第68-69页 |
| ·Cd~(2+)离子掺杂对光催化性能的影响 | 第69-70页 |
| ·Ce~(3+)离子掺杂对光催化性能的影响 | 第70-71页 |
| ·Pd~(2+)离子掺杂对光催化性能的影响 | 第71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-87页 |
| 附录 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |