SPIC中器件的设计、模型及参数提取研究
| 摘 要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目 录 | 第6-8页 |
| 第一章 引 言 | 第8-14页 |
| ·SPIC的研究现状与发展 | 第8-10页 |
| ·器件模型与参数提取概述 | 第10-13页 |
| ·器件模型的发展 | 第10-12页 |
| ·模型参数提取简介 | 第12-13页 |
| ·本文工作 | 第13-14页 |
| 第二章 器件设计与器件模型 | 第14-31页 |
| ·高压LDMOS的设计 | 第14-23页 |
| ·概述 | 第14-19页 |
| ·LDMOS的结构及设计要求 | 第19-20页 |
| ·P衬底浓度和N阱浓度的确定 | 第20-21页 |
| ·P-降场层浓度与长度的确定 | 第21-22页 |
| ·导通电阻的模拟 | 第22-23页 |
| ·LDMOS特性分析与等效电路模型 | 第23-27页 |
| ·准饱和特性 | 第23-24页 |
| ·准漏极相关特性 | 第24-26页 |
| ·LDMOS等效电路模型 | 第26-27页 |
| ·低压MOS的设计与模型 | 第27-29页 |
| ·器件结构与模拟结果 | 第28-29页 |
| ·模型的选取 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 器件模型参数提取 | 第31-60页 |
| ·低压MOS模型介绍 | 第31-44页 |
| ·电路模拟器与模型简介 | 第31-37页 |
| ·SPICE MOS1、2、3、4级模型 | 第37-44页 |
| ·低压MOS模型参数提取 | 第44-52页 |
| ·AURORA软件简介 | 第44-45页 |
| ·提取模型参数的步骤 | 第45-47页 |
| ·提取过程及分析 | 第47-52页 |
| ·MOS电容的提取 | 第52-55页 |
| ·单管PCM的实现 | 第55-57页 |
| ·高压LDMOS的参数提取 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 版图设计与工艺实验 | 第60-69页 |
| ·工艺设计 | 第60-62页 |
| ·版图设计 | 第62-65页 |
| ·基准源及偏置电路版图 | 第63页 |
| ·振荡器电路版图 | 第63-64页 |
| ·测试单管版图 | 第64页 |
| ·总体电路版图 | 第64-65页 |
| ·流片测试结果与分析 | 第65-68页 |
| ·低压器件的测试与分析 | 第65-67页 |
| ·高压LDMOS的测试与分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
