| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| §1-1 概述 | 第7-8页 |
| §1-2 蒸发冷却技术在国内外的发展现状 | 第8-9页 |
| 1-2-1 蒸发冷却技术在国内的发展现状 | 第8-9页 |
| 1-2-2 蒸发冷却技术在国外的发展现状 | 第9页 |
| §1-3 现阶段蒸发冷却技术存在的主要问题 | 第9-10页 |
| §1-4 本论文的工作 | 第10-11页 |
| 第二章 可控硅整流电路的冷却方式 | 第11-16页 |
| §2-1 现阶段可控硅整流电路主要采用的冷却方式 | 第11-14页 |
| 2-1-1 自冷 | 第11页 |
| 2-1-2 风冷 | 第11-12页 |
| 2-1-3 液冷 | 第12-14页 |
| §2-2 可控硅整流电路采用相变冷却的发展现状 | 第14-15页 |
| 2-2-1 热管冷却系统 | 第14-15页 |
| 2-2-2 浸泡式冷却系统 | 第15页 |
| §2-3 本章小节 | 第15-16页 |
| 第三章 制冷剂的选择 | 第16-24页 |
| §3-1 制冷剂的发展 | 第16-17页 |
| §3-2 制冷剂的一般选用原则 | 第17-21页 |
| §3-3 电气设备冷却剂的选择 | 第21-23页 |
| §3-4 本章小节 | 第23-24页 |
| 第四章 可控硅整流电路蒸发冷却的理论研究 | 第24-35页 |
| §4-1 沸腾换热的机理 | 第24-30页 |
| 4-1-1 沸腾的类型 | 第24页 |
| 4-1-2 气泡的发生和运动规律 | 第24-28页 |
| 4-1-3 大容器饱和沸腾 | 第28-29页 |
| 4-1-4 传热关联式 | 第29-30页 |
| §4-2 可控硅整流电路蒸发冷却系统设计方案的选定 | 第30-34页 |
| 4-2-1 晶闸管的特点、用途及发展现状 | 第30-31页 |
| 4-2-2 晶闸管的热阻 | 第31-32页 |
| 4-2-3 设计方案的选定 | 第32-33页 |
| 4-2-4 晶闸管的恒压浸泡式冷却系统设计 | 第33-34页 |
| §4-3 本章小节 | 第34-35页 |
| 第五章 可控硅整流电路的蒸发冷却系统 | 第35-47页 |
| §5-1 整流电路的设计 | 第35-38页 |
| §5-2 冷却系统的设计 | 第38-43页 |
| 5-2-1 蒸发器的设计计算 | 第38-39页 |
| 5-2-2 冷凝器的设计计算 | 第39-42页 |
| 5-2-3 液槽的设计 | 第42-43页 |
| 5-2-4 蒸发器的充液高度 | 第43页 |
| §5-3 测量系统的设计 | 第43-45页 |
| 5-3-1 测温系统 | 第43-44页 |
| 5-3-2 压力系统和安全系统 | 第44页 |
| 5-3-3 电路中电流、电压的测量 | 第44页 |
| 5-3-4 实验系统实物图 | 第44-45页 |
| §5-4 设计和实验中应注意的问题 | 第45-46页 |
| §5-5 本章小节 | 第46-47页 |
| 第六章 实验数据的处理 | 第47-56页 |
| §6-1 晶闸管的耗散功率 | 第47-49页 |
| 6-1-1 通态平均电流 | 第47-48页 |
| 6-1-2 耗散功率 | 第48-49页 |
| §6-2 晶闸管的结温 | 第49-50页 |
| §6-3 实验数据的整理与分析 | 第50-54页 |
| 6-3-1 晶闸管表面温升曲线 | 第50-52页 |
| 6-3-2 晶闸管表面温度与冷媒温度的对比曲线 | 第52页 |
| 6-3-3 晶闸管表面与环境间的热阻与热流量的变化曲线 | 第52-53页 |
| 6-3-4 不同散热条件下，晶闸管表面与环境之间的热阻的比较 | 第53-54页 |
| §6-4 本文存在的问题及今后工作的设想 | 第54-55页 |
| §6-5 本章小节 | 第55-56页 |
| 第七章 主要结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 附录A | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第64页 |
