摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 引言 | 第9-18页 |
1、研究动机和背景 | 第9-15页 |
·、统计静态时序分析的研究现状 | 第13页 |
·、基于时钟偏斜规划的成品率优化方法的研究现状 | 第13-15页 |
2 本文的研究内容和主要贡献 | 第15-17页 |
·、基于自适应随机配置法的统计静态时序分析方法 | 第15-16页 |
·、成品率驱动的考虑非高斯时延偏差的时钟偏斜规划方法 | 第16-17页 |
3、本文的组织结构 | 第17-18页 |
第二章 统计静态时序分析的研究背景 | 第18-36页 |
1、纳米工艺下的工艺偏差 | 第18-24页 |
·、影响电路性能的偏差分类 | 第18-21页 |
·、影响电路性能的工艺偏差 | 第21-24页 |
2、基于边界的时序分析方法 | 第24-26页 |
3、考虑片内偏差影响的统计时延建模方法 | 第26-31页 |
·、工艺偏差影响下的统计时延模型建模流程 | 第26-28页 |
·、主元分析技术 | 第28-31页 |
4、基于路径和基于模块的时序分析方法 | 第31-35页 |
·、基于路径的统计时序分析 | 第31-33页 |
·、基于模块的统计时序分析 | 第33-35页 |
5、本章小结 | 第35-36页 |
第三章 统计静态时序分析—关键的MAX问题求解 | 第36-63页 |
1、二阶多项式时延模型 | 第36-38页 |
2、采用非高斯时延模型的MAX求解算法 | 第38-44页 |
·、基于矩匹配的方法 | 第39-43页 |
·、随机Galerkin方法 | 第43-44页 |
3、基于稀疏网格的随机配置法 | 第44-49页 |
·、MAX问题的描述 | 第44-45页 |
·、基于稀疏网格的多维高斯积分方法 | 第45-47页 |
·、一维Gaussian-Hermite数值积分 | 第46页 |
·、基于稀疏网格技术的多维高斯积分 | 第46-47页 |
·、与已有的多维高斯积分方法的比较 | 第47-49页 |
·、基于张量积的多维高斯积分 | 第47页 |
·、基于降维技术的高斯积分 | 第47-48页 |
·、几种积分方法的精度和复杂度比较 | 第48-49页 |
4、自适应的随机随配置法 | 第49-58页 |
·、MAX的三种非线性情况 | 第49-51页 |
·、不同非线性MAX情况下的算法比较 | 第51-53页 |
·、通用的自适应MAX算法 | 第53-56页 |
·、基于端口移除技术和稀疏网格随机配置法的MAX计算 | 第56-58页 |
5、数值实验结果和分析 | 第58-62页 |
6、本章小结 | 第62-63页 |
第四章 纳米工艺参数成品率分析相关背景回顾 | 第63-73页 |
1、同步时序VLSI数字电路的时序性能 | 第63-68页 |
·、同步时序数字VLSI系统的基本工作原理 | 第63-64页 |
·、同步时序数字VLSI系统的时序特征 | 第64-66页 |
·、同步时序数字VLSI系统的时序约束 | 第66-68页 |
2 基于统计静态时序分析的时序成品率预测方法 | 第68-72页 |
·、芯片参数成品率的定义 | 第68-70页 |
·、性能空间上的时序成品率 | 第70-71页 |
·、基于蒙特卡罗方法的芯片参数成品率分析方法 | 第71-72页 |
3、本章小结 | 第72-73页 |
第五章 考虑非高斯关键路径时延分布的成品率优化方法 | 第73-93页 |
1、时钟偏斜规划及其对电路性能的影响 | 第73-75页 |
2、已有的成品率驱动的时钟偏斜规划回顾 | 第75-78页 |
·、固定安全余量添加法 | 第75-76页 |
·、最小平方差算法 | 第76页 |
·、最小均值环算法 | 第76页 |
·、递增式安全余量分配算法 | 第76-77页 |
·、基于最小价值-时间比环的算法 | 第77-78页 |
3、基于时钟偏斜规划的通用形式成品率优化问题描述 | 第78-84页 |
·、基于MIN-MAX形式的通用描述 | 第79-80页 |
·、对以有工作的统计解释 | 第80-84页 |
4、问题的求解:通用的最小平衡算法 | 第84-89页 |
·、GMB算法框架 | 第84-85页 |
·、带参数的最短路径算法 | 第85-86页 |
·、快速的反CDF函数计算 | 第86-88页 |
·、GMB算法的实现 | 第88-89页 |
5、数值实验结果和分析 | 第89-92页 |
6、本章小结 | 第92-93页 |
第六章 总结和展望 | 第93-96页 |
1、全文总结 | 第93-94页 |
2、对未来工作的展望 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-103页 |
已发表或录用文章列表 | 第103-104页 |
1、第一学生作者 | 第103页 |
其他 | 第103-104页 |
致谢 | 第104-105页 |