叠层结构有机场效应晶体管的制备与研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·有机场效应管研究进展 | 第8-10页 |
| ·研究现状及发展趋势 | 第10-11页 |
| ·有机场效应晶体管的应用 | 第11-12页 |
| ·有机场效应晶体管的材料 | 第12-16页 |
| ·有机半导体沟道材料 | 第12-15页 |
| ·绝缘材料 | 第15页 |
| ·电极材料 | 第15-16页 |
| ·有机材料的导电机理 | 第16-17页 |
| ·有机半导体材料的能带理论 | 第16页 |
| ·电荷输运参数的理论描述 | 第16-17页 |
| ·电极/有机界面电流传导机制 | 第17-19页 |
| ·热电子发射电流模型 | 第18页 |
| ·扩散电流模型 | 第18-19页 |
| ·本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 2 有机场效应晶体管的结构、工作原理与制备工艺 | 第22-32页 |
| ·有机场效应管的结构 | 第22-23页 |
| ·有机场效应晶体管的工作原理 | 第23-26页 |
| ·OFET的制备工艺 | 第26-31页 |
| ·半导体薄膜制备工艺 | 第26-28页 |
| ·OFET加工工艺 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 3 有机薄膜的生长及性能测试 | 第32-43页 |
| ·有机薄膜生长的基本理论 | 第32-34页 |
| ·薄膜的生长方式 | 第34-35页 |
| ·有机薄膜材料的选择 | 第35-36页 |
| ·酞菁铜薄膜的生长 | 第36-38页 |
| ·在不同衬底上蒸镀的酞菁铜薄膜的特性研究 | 第38-40页 |
| ·酞菁铜薄膜厚度确定方法 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 4 叠层结构有机场效应晶体管的制备及性能研究 | 第43-50页 |
| ·器件结构的选择 | 第43-44页 |
| ·器件的制备 | 第44-46页 |
| ·硅片的清洗及表面处理 | 第45页 |
| ·器件制备过程 | 第45-46页 |
| ·器件性能的测试 | 第46-49页 |
| ·器件的I-V特性研究 | 第46-47页 |
| ·OFET的温度特性研究 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 5 结论与展望 | 第50-51页 |
| 附录1 主要的物理量符号 | 第51-54页 |
| 论文发表情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
