| 一、中文摘要 | 第1-9页 |
| 二、英文摘要 | 第9-15页 |
| 三、引言 | 第15-19页 |
| 四、正文 | 第19-85页 |
| 第一部分 Cav1.2功能相关区域突变对离子通透及电压门控特性的影响 | 第19-38页 |
| 第二部分 F1126E突变对通道离子通透性质的影响机制 | 第38-58页 |
| 第三部分 F1126E突变对通道电压门控性质的影响机制 | 第58-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 五、综述 | 第85-99页 |
| 正文电压门控性钙通道离子通透和电压门控性质研究进展 | 第85-91页 |
| 参考文献 | 第91-99页 |
| 七、攻博期间发表的科研成果目录 | 第99-101页 |
| 六、后记 | 第101-102页 |