| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·纳米材料的形貌分析的重要性 | 第8页 |
| ·纳米材料自组装 | 第8-10页 |
| ·纳米电子器件到分子电子器件的过度 | 第10-11页 |
| ·本课题的研究背景及意义 | 第11-14页 |
| 第二章 实验方法 | 第14-26页 |
| ·扫描隧道显微镜（STM） | 第14-18页 |
| ·扫描隧道显微镜(STM)的工作原理 | 第14-15页 |
| ·工作模式 | 第15-16页 |
| ·扫描针尖的制备方法 | 第16-18页 |
| ·超高真空扫描隧道显微镜分子束外延系统（UHV-STM-MBE） | 第18-23页 |
| ·超高真空系统 | 第18-21页 |
| ·STM 扫描反馈及分析系统 | 第21-22页 |
| ·分子束外延生长 | 第22-23页 |
| ·扫描隧道显微镜工作参数设置 | 第23-24页 |
| ·Si(111)-7×7 重构表面的制备 | 第24-26页 |
| 第三章 基本原理 | 第26-39页 |
| ·薄膜成核长大的热力学和动力学 | 第26-32页 |
| ·薄膜成核长大热力学 | 第26-29页 |
| ·薄膜生长的动力学过程 | 第29-32页 |
| ·Si(111)-7×7 表面 | 第32-39页 |
| ·表面重构及其标记 | 第33-34页 |
| ·Si(111)-7×7 重构表面的结构 | 第34-39页 |
| 第四章 小覆盖度 C_(60)分子在 Si(111)-7×7 表面的 MBE 生长研究 | 第39-54页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验方法 | 第40-41页 |
| ·实验结果及讨论 | 第41-53页 |
| ·室温下C_(60) 分子在Si(111)-7×7 表面的MBE 生长分布 | 第41-46页 |
| ·小覆盖度C_(60) 分子生长后的退火处理 | 第46-53页 |
| ·温度400℃时背烘模式退火405 | 第46-48页 |
| ·温度为600℃-700℃直流退火205 | 第48-51页 |
| ·直流退火900℃和1250℃温度下205 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第五章 单分子的 STS 研究和分子的层状生长模式 | 第54-65页 |
| ·引言及理论背景 | 第54页 |
| ·实验部分 | 第54-55页 |
| ·结果与分析 | 第55-63页 |
| ·单 C_(60) 分子在硅表面的扫描隧道谱(STS)研究 | 第55-58页 |
| ·室温时分子生长的团聚现象 | 第58-60页 |
| ·温度 600℃退火处理 | 第60-62页 |
| ·分子到 Frank-van der Merwe 层状生长模式的转变 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第六章 全文总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 | 第71页 |
