锗硅量子点的制备及退火特性研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·锗硅量子点的研究意义 | 第9-12页 |
| ·锗硅量子点的应用 | 第12-15页 |
| ·单电子器件 | 第13-14页 |
| ·量子点光电探测器 | 第14-15页 |
| ·量子点太阳能电池 | 第15页 |
| ·锗量子点的外延生长 | 第15-19页 |
| ·化学气相沉积 | 第17-18页 |
| ·分子束外延 | 第18页 |
| ·物理气相沉积 | 第18-19页 |
| ·在图形衬底上制备量子点的意义及进展 | 第19-21页 |
| ·量子点退火特性的研究意义及进展 | 第21-23页 |
| ·本论文的选题及章节安排 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-49页 |
| ·衬底处理方法 | 第26-29页 |
| ·硅片的切割和热氧化 | 第26-28页 |
| ·图形衬底的制备 | 第28页 |
| ·生长前的衬底处理 | 第28-29页 |
| ·样品生长方法 | 第29-33页 |
| ·分子束外延系统 | 第29-31页 |
| ·真空镀膜系统 | 第31-33页 |
| ·高温退火系统 | 第33页 |
| ·形貌表征方法 | 第33-39页 |
| ·原子力显微镜 | 第33-36页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第36-39页 |
| ·电学性质测量方法 | 第39-41页 |
| ·电容—电压测试 | 第39-41页 |
| ·导纳谱测试 | 第41页 |
| ·光学性质测量方法 | 第41-47页 |
| ·光致发光谱 | 第41-42页 |
| ·单色仪—锁相光电流测试系统上的光电流谱 | 第42-43页 |
| ·傅立叶转换光电流谱 | 第43-46页 |
| ·光学喇曼谱 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第三章 图形衬底上的量子点制备 | 第49-75页 |
| ·研究的基本思路 | 第49-50页 |
| ·利用电子束光刻制备图形衬底 | 第50-57页 |
| ·电子束光刻 | 第50-52页 |
| ·利用EBL在PMMA上制备图形 | 第52-53页 |
| ·反应离子束刻蚀 | 第53-55页 |
| ·湿法刻蚀工艺 | 第55-57页 |
| ·利用PS小球排列制作图形衬底 | 第57-62页 |
| ·在图形衬底上生长量子点 | 第62-73页 |
| ·环形排布量子点的制备及其形貌表征 | 第63-67页 |
| ·衬底条件对量子点形貌的影响 | 第67-70页 |
| ·生长条件对量子点形貌的影响 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第四章 锗硅量子点退火特性研究 | 第75-101页 |
| ·实验原理 | 第75-82页 |
| ·单色仪—锁相光电流测试系统上的光电流谱原理 | 第75-77页 |
| ·傅立叶变换红外光谱仪上的光电流谱原理 | 第77-79页 |
| ·喇曼散射谱原理 | 第79-80页 |
| ·光致发光谱原理 | 第80-82页 |
| ·样品制备 | 第82-84页 |
| ·量子点退火增强红外光电流响应 | 第84-88页 |
| ·退火对量子点的影响 | 第88-94页 |
| ·量子点的能级结构研究 | 第94-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-101页 |
| 第五章 论文总结及展望 | 第101-103页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第103-104页 |
| 攻读博士学位期间参加的学术会议 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
