| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·前言 | 第12-13页 |
| ·氧化物薄膜晶体管 | 第13-29页 |
| ·薄膜晶体管的基本结构和工作原理 | 第13-18页 |
| ·氧化物半导体材料的研究 | 第18-19页 |
| ·ZnO TFT的研究现状 | 第19-22页 |
| ·In-Ga-Zn-O TFT的研究现状 | 第22-26页 |
| ·In-Zn-O TFT的研究现状 | 第26-27页 |
| ·其他氧化物半导体材料的TFT | 第27-28页 |
| ·氧化物薄膜晶体管的制备 | 第28-29页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第29-31页 |
| ·高功函数透明导电氧化物薄膜 | 第31-33页 |
| ·本课题的研究内容及意义 | 第33-36页 |
| ·本课题研究内容 | 第33-34页 |
| ·本课题研究意义 | 第34-36页 |
| 第二章 薄膜制备及表征方法 | 第36-48页 |
| ·制备方法及原理 | 第36-40页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第36-37页 |
| ·脉冲等离子体沉积 | 第37-39页 |
| ·真空热蒸发方法 | 第39页 |
| ·有机介质层制备方法 | 第39-40页 |
| ·表征方法及原理 | 第40-48页 |
| ·薄膜透射率 | 第40-41页 |
| ·薄膜厚度 | 第41-42页 |
| ·薄膜电学性能测试 | 第42-44页 |
| ·薄膜微结构分析原理及方法 | 第44-46页 |
| ·介质层C-V测试方法 | 第46页 |
| ·薄膜晶体管测试方法 | 第46-48页 |
| 第三章 透明IZO薄膜的研究 | 第48-57页 |
| ·IZO薄膜成分、结构及表面形貌 | 第48-52页 |
| ·IZO薄膜成分 | 第48-49页 |
| ·IZO薄膜的结构 | 第49-50页 |
| ·IZO薄膜的表面形貌 | 第50-52页 |
| ·氧分压对IZO薄膜电学性能的影响 | 第52-54页 |
| ·IZO薄膜光学性能 | 第54-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第四章 基于无机介质层的IZO-TFT的研究 | 第57-63页 |
| ·基于无机介质层IZO-TFT的制备 | 第57-59页 |
| ·无机介质层IZO-TFT中各层薄膜的制备工艺 | 第57-58页 |
| ·无机介质层IZO-TFT的器件结构 | 第58-59页 |
| ·基于氧化硅介质层IZO-TFT的研究 | 第59-61页 |
| ·顶栅结构氧化硅介质层IZO-TFT器件 | 第59-60页 |
| ·底栅结构氧化硅介质层IZO-TFT器件 | 第60-61页 |
| ·基于氧化钽介质层IZO-TFT的研究 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 基于有机介质层IZO-TFT的研究 | 第63-80页 |
| ·基于有机介质层IZO-TFT的制备 | 第63-64页 |
| ·有机介质层IZO-TFT中各层薄膜的制备工艺 | 第63-64页 |
| ·有机介质层IZO-TFT制作工艺流程 | 第64页 |
| ·有机介质层的介电、电学和光学性能 | 第64-68页 |
| ·有机介质层的介电性能 | 第64-66页 |
| ·有机介质层薄膜的电学性能 | 第66-67页 |
| ·有机介质层薄膜的光学性能 | 第67-68页 |
| ·基于聚乙烯吡咯烷酮有机介质层IZO-TFT的研究 | 第68-74页 |
| ·氧分压为5.0×10~(-2)Pa制备IZO沟道层 | 第68-71页 |
| ·聚乙烯吡咯烷酮介质层IZO-TFT的输出特性 | 第68页 |
| ·聚乙烯吡咯烷酮介质层IZO-TFT的转移特性 | 第68-71页 |
| ·改变氧分压制备IZO沟道层 | 第71-73页 |
| ·聚乙烯吡咯烷酮介质层IZO-TFT的输出特性 | 第71-72页 |
| ·聚乙烯吡咯烷酮介质层IZO-TFT的转移特性 | 第72-73页 |
| ·聚乙烯吡咯烷酮介质层IZO-TFT的阈值电压 | 第73-74页 |
| ·基于聚四乙烯苯酚介质层室温IZO-TFT的研究 | 第74-78页 |
| ·聚四乙烯苯酚介质层IZO-TFT | 第74-76页 |
| ·聚四乙烯苯酚介质层IZO-TFT的输出特性 | 第74-75页 |
| ·聚四乙烯苯酚介质层IZO-TFT的转移特性 | 第75-76页 |
| ·聚四乙烯苯酚介质层IZO-TFT的阈值电压 | 第76-78页 |
| ·基于聚四乙烯苯酚介质层退火IZO-TFT的研究 | 第78-79页 |
| ·聚四乙烯苯酚介质层IZO-TFT的输出特性 | 第78页 |
| ·聚四乙烯苯酚介质层IZO-TFT的输出特性 | 第78-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 第六章 透明导电IWO薄膜及其热处理的研究 | 第80-88页 |
| ·透明导电IWO薄膜结构及表面形貌 | 第80-82页 |
| ·氧分压对IWO薄膜沉积速度的影响 | 第82-83页 |
| ·IWO薄膜电学特性 | 第83-84页 |
| ·氧分压对IWO薄膜电学性能的影响 | 第83-84页 |
| ·退火处理对IWO薄膜电学性能的影响 | 第84页 |
| ·IWO薄膜的光学性能 | 第84-86页 |
| ·小结 | 第86-88页 |
| 第七章 高功函数TCO薄膜和OLED制备及器件性能分析 | 第88-96页 |
| ·铂钨共掺高功函数IWO薄膜 | 第88-92页 |
| ·铂钨共掺IWO薄膜的表面成分 | 第88-89页 |
| ·铂钨共掺IWO薄膜的电学性能 | 第89-90页 |
| ·铂钨共掺IWO薄膜的光学性能 | 第90页 |
| ·铂钨共掺IWO薄膜的表面形貌 | 第90-91页 |
| ·铂钨共掺IWO薄膜的功函数 | 第91-92页 |
| ·OLED的制备及器件性能分析 | 第92-95页 |
| ·OLED器件制备 | 第92页 |
| ·OLED器件的发光光谱 | 第92-93页 |
| ·OLED器件的电流密度 | 第93页 |
| ·OLED器件的发光亮度 | 第93-94页 |
| ·OLED器件的发光效率 | 第94-95页 |
| ·小结 | 第95-96页 |
| 第八章 全文结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-109页 |
| 附录 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
